Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - მასივები

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - მასივები
SBR05U20SN-7
Diodes Incorporated

SBR05U20SN-7

ნაწილი საფონდო: 181528

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 250mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 560mV @ 500mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR2060CTF-E1
Diodes Incorporated

MBR2060CTF-E1

ნაწილი საფონდო: 199398

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 810mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR20150CTF-G1
Diodes Incorporated

MBR20150CTF-G1

ნაწილი საფონდო: 118460

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR30E45CTB-13
Diodes Incorporated

SBR30E45CTB-13

ნაწილი საფონდო: 140230

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 15A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR20100CS2-G1
Diodes Incorporated

MBR20100CS2-G1

ნაწილი საფონდო: 108774

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 850mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR10100CTF-G1
Diodes Incorporated

MBR10100CTF-G1

ნაწილი საფონდო: 158588

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 850mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR10200CTF-E1
Diodes Incorporated

MBR10200CTF-E1

ნაწილი საფონდო: 135246

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
QSG0115UDJ-7
Diodes Incorporated

QSG0115UDJ-7

ნაწილი საფონდო: 198945

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 15V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 400mV @ 10mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სასურველი
SBR40U60CTB-13
Diodes Incorporated

SBR40U60CTB-13

ნაწილი საფონდო: 76113

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 20A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR20150SCT-G1
Diodes Incorporated

MBR20150SCT-G1

ნაწილი საფონდო: 127299

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR30A150CTFP
Diodes Incorporated

SBR30A150CTFP

ნაწილი საფონდო: 58775

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR10200CS2-G1
Diodes Incorporated

MBR10200CS2-G1

ნაწილი საფონდო: 141316

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR10150CTF-E1
Diodes Incorporated

MBR10150CTF-E1

ნაწილი საფონდო: 137410

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR30A120CTFP
Diodes Incorporated

SBR30A120CTFP

ნაწილი საფონდო: 51780

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 830mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBRT10A100CTL-13
Diodes Incorporated

SBRT10A100CTL-13

ნაწილი საფონდო: 143121

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 780mV @ 5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR20200CT-E1
Diodes Incorporated

MBR20200CT-E1

ნაწილი საფონდო: 108251

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR10120CTL-13
Diodes Incorporated

SBR10120CTL-13

ნაწილი საფონდო: 127774

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SDT40100CTFP
Diodes Incorporated

SDT40100CTFP

ნაწილი საფონდო: 133

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 790mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SDT40H120CTFP
Diodes Incorporated

SDT40H120CTFP

ნაწილი საფონდო: 141

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 820mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR3045CTB
Diodes Incorporated

SBR3045CTB

ნაწილი საფონდო: 37079

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR20H100CTF-E1
Diodes Incorporated

MBR20H100CTF-E1

ნაწილი საფონდო: 175220

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 770mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR30A50CTFP
Diodes Incorporated

SBR30A50CTFP

ნაწილი საფონდო: 60978

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR10100CTFP
Diodes Incorporated

SBR10100CTFP

ნაწილი საფონდო: 78747

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR3045CTB-13
Diodes Incorporated

SBR3045CTB-13

ნაწილი საფონდო: 52860

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR30A120CTE
Diodes Incorporated

SBR30A120CTE

ნაწილი საფონდო: 69167

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 830mV @ 15A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR10U40CT
Diodes Incorporated

SBR10U40CT

ნაწილი საფონდო: 50555

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 440mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SDT20B100CT
Diodes Incorporated

SDT20B100CT

ნაწილი საფონდო: 80489

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR30100CT-G1
Diodes Incorporated

MBR30100CT-G1

ნაწილი საფონდო: 108829

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 850mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR4045CTFP
Diodes Incorporated

SBR4045CTFP

ნაწილი საფონდო: 65160

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR10100CDTR-G1
Diodes Incorporated

MBR10100CDTR-G1

ნაწილი საფონდო: 157683

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 850mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR2045CTF-G1
Diodes Incorporated

MBR2045CTF-G1

ნაწილი საფონდო: 118125

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 640mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBRT60U100CT
Diodes Incorporated

SBRT60U100CT

ნაწილი საფონდო: 44382

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 780mV @ 30A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR10100CS2TR-G1
Diodes Incorporated

MBR10100CS2TR-G1

ნაწილი საფონდო: 195010

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 850mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR30A60CT-G
Diodes Incorporated

SBR30A60CT-G

ნაწილი საფონდო: 65141

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 15A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR1530CT
Diodes Incorporated

MBR1530CT

ნაწილი საფონდო: 58079

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR10U200CTFP
Diodes Incorporated

SBR10U200CTFP

ნაწილი საფონდო: 71003

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 820mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი