Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - მასივები

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - მასივები
MBR2060CT-G1
Diodes Incorporated

MBR2060CT-G1

ნაწილი საფონდო: 133519

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 810mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR10200CTB
Diodes Incorporated

SBR10200CTB

ნაწილი საფონდო: 88138

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR2040CT
Diodes Incorporated

SBR2040CT

ნაწილი საფონდო: 80473

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 530mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SDT40100CT
Diodes Incorporated

SDT40100CT

ნაწილი საფონდო: 71835

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 790mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MMBD5004C-7
Diodes Incorporated

MMBD5004C-7

ნაწილი საფონდო: 165685

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 350V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.275V @ 200mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR3045CTFP
Diodes Incorporated

SBR3045CTFP

ნაწილი საფონდო: 76696

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR3040CTFP
Diodes Incorporated

SBR3040CTFP

ნაწილი საფონდო: 41158

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SDT30A100CT
Diodes Incorporated

SDT30A100CT

ნაწილი საფონდო: 76339

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 730mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR40U120CTE
Diodes Incorporated

SBR40U120CTE

ნაწილი საფონდო: 30912

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 860mV @ 20A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBRT30A100CTFP
Diodes Incorporated

SBRT30A100CTFP

ნაწილი საფონდო: 44949

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 15A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRB20150CT
Diodes Incorporated

MBRB20150CT

ნაწილი საფონდო: 86231

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR30A60CT
Diodes Incorporated

SBR30A60CT

ნაწილი საფონდო: 34282

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR10200CD-G1
Diodes Incorporated

MBR10200CD-G1

ნაწილი საფონდო: 174545

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRB10200CT
Diodes Incorporated

MBRB10200CT

ნაწილი საფონდო: 95144

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 910mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR20150SCTF-E1
Diodes Incorporated

MBR20150SCTF-E1

ნაწილი საფონდო: 134260

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR10100CTB
Diodes Incorporated

SBR10100CTB

ნაწილი საფონდო: 80562

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MMBD4448HTW-7-F
Diodes Incorporated

MMBD4448HTW-7-F

ნაწილი საფონდო: 145305

დიოდის კონფიგურაცია: 3 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 250mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 150mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR20100CT-E1
Diodes Incorporated

MBR20100CT-E1

ნაწილი საფონდო: 133503

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 850mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR30A120CT
Diodes Incorporated

SBR30A120CT

ნაწილი საფონდო: 38600

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 830mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR30A100CTFP
Diodes Incorporated

SBR30A100CTFP

ნაწილი საფონდო: 51277

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SDT40H120CT
Diodes Incorporated

SDT40H120CT

ნაწილი საფონდო: 46662

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 820mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR30H100CT-G1
Diodes Incorporated

MBR30H100CT-G1

ნაწილი საფონდო: 95449

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SDT30A100CTE
Diodes Incorporated

SDT30A100CTE

ნაწილი საფონდო: 353

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 730mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBRT30U45CTFP
Diodes Incorporated

SBRT30U45CTFP

ნაწილი საფონდო: 37577

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 500mV @ 15A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR20A45CT
Diodes Incorporated

SBR20A45CT

ნაწილი საფონდო: 80622

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 500mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR20150CTFP
Diodes Incorporated

SBR20150CTFP

ნაწილი საფონდო: 71803

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SDT10A100CTFP
Diodes Incorporated

SDT10A100CTFP

ნაწილი საფონდო: 384

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 660mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR30A45CTFP
Diodes Incorporated

SBR30A45CTFP

ნაწილი საფონდო: 34251

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 500mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR10200CT-E1
Diodes Incorporated

MBR10200CT-E1

ნაწილი საფონდო: 135011

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR10U150CT
Diodes Incorporated

SBR10U150CT

ნაწილი საფონდო: 126255

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 10A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR20200CT-G1
Diodes Incorporated

MBR20200CT-G1

ნაწილი საფონდო: 108292

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBRT60U60CT
Diodes Incorporated

SBRT60U60CT

ნაწილი საფონდო: 39837

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 620mV @ 30A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR4060CTFP
Diodes Incorporated

SBR4060CTFP

ნაწილი საფონდო: 33142

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Super Barrier, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SDT30100CTE
Diodes Incorporated

SDT30100CTE

ნაწილი საფონდო: 325

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR2045CTI
Diodes Incorporated

MBR2045CTI

ნაწილი საფონდო: 140877

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 20A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR2045CTF-E1
Diodes Incorporated

MBR2045CTF-E1

ნაწილი საფონდო: 134681

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 10A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი