მეხსიერება

S29GL512P10FFIR10

S29GL512P10FFIR10

ნაწილი საფონდო: 384

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 100ns,

სასურველი
FM25V01-GTR

FM25V01-GTR

ნაწილი საფონდო: 8919

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FRAM, ტექნოლოგია: FRAM (Ferroelectric RAM), მეხსიერების ზომა: 128Kb (16K x 8), საათის სიხშირე: 40MHz,

სასურველი
S29GL01GS11TFV020

S29GL01GS11TFV020

ნაწილი საფონდო: 5420

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
CY7C1564XV18-366BZC

CY7C1564XV18-366BZC

ნაწილი საფონდო: 6991

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, QDR II+, მეხსიერების ზომა: 72Mb (2M x 36), საათის სიხშირე: 366MHz,

სასურველი
FM24CL64B-GA

FM24CL64B-GA

ნაწილი საფონდო: 19312

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FRAM, ტექნოლოგია: FRAM (Ferroelectric RAM), მეხსიერების ზომა: 64Kb (8K x 8), საათის სიხშირე: 1MHz,

სასურველი
CY62167GN18-55BVXIT

CY62167GN18-55BVXIT

ნაწილი საფონდო: 6587

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 55ns,

სასურველი
S70FS01GSAGBHB210

S70FS01GSAGBHB210

ნაწილი საფონდო: 2456

სასურველი
S25FL032P0XBHI020

S25FL032P0XBHI020

ნაწილი საფონდო: 9691

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (4M x 8), საათის სიხშირე: 104MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5µs, 3ms,

სასურველი
S25FL204K0TMFI011

S25FL204K0TMFI011

ნაწილი საფონდო: 93

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), საათის სიხშირე: 85MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5ms,

სასურველი
FM25L04B-GATR

FM25L04B-GATR

ნაწილი საფონდო: 46180

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FRAM, ტექნოლოგია: FRAM (Ferroelectric RAM), მეხსიერების ზომა: 4Kb (512 x 8), საათის სიხშირე: 10MHz,

სასურველი
S25FL064P0XMFI001

S25FL064P0XMFI001

ნაწილი საფონდო: 9864

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (8M x 8), საათის სიხშირე: 104MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5µs, 3ms,

სასურველი
S26KL512SDABHV020

S26KL512SDABHV020

ნაწილი საფონდო: 5652

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
S29GL01GP11TFIR20

S29GL01GP11TFIR20

ნაწილი საფონდო: 330

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 110ns,

სასურველი
CY7C1360C-166AXCT

CY7C1360C-166AXCT

ნაწილი საფონდო: 6661

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 9Mb (256K x 36), საათის სიხშირე: 166MHz,

სასურველი
FM25C160B-GATR

FM25C160B-GATR

ნაწილი საფონდო: 43310

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FRAM, ტექნოლოგია: FRAM (Ferroelectric RAM), მეხსიერების ზომა: 16Kb (2K x 8), საათის სიხშირე: 15MHz,

სასურველი
S29WS064RABBHI000

S29WS064RABBHI000

ნაწილი საფონდო: 653

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (4M x 16), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
CY62167DV30LL-55BVXI

CY62167DV30LL-55BVXI

ნაწილი საფონდო: 6086

სასურველი
S25FL204K0TMFI041

S25FL204K0TMFI041

ნაწილი საფონდო: 192

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), საათის სიხშირე: 85MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5ms,

სასურველი
S25FL129P0XBHIZ10

S25FL129P0XBHIZ10

ნაწილი საფონდო: 10021

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 104MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5µs, 3ms,

სასურველი
CY14MB064Q2B-SXI

CY14MB064Q2B-SXI

ნაწილი საფონდო: 707

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 64Kb (8K x 8), საათის სიხშირე: 40MHz,

სასურველი
S26KS256SDGBHV030

S26KS256SDGBHV030

ნაწილი საფონდო: 6118

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
S25FL128P0XNFI001

S25FL128P0XNFI001

ნაწილი საფონდო: 13970

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 104MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 3ms,

სასურველი
S29PL064J70BFW122

S29PL064J70BFW122

ნაწილი საფონდო: 648

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (4M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
S29PL127J70BAI000

S29PL127J70BAI000

ნაწილი საფონდო: 5902

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
S29GL01GS11DHI010

S29GL01GS11DHI010

ნაწილი საფონდო: 7045

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
S29GL512P11FFI020

S29GL512P11FFI020

ნაწილი საფონდო: 428

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 110ns,

სასურველი
CY14B256KA-SP25XIT

CY14B256KA-SP25XIT

ნაწილი საფონდო: 6444

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
S25FL204K0TMFI010

S25FL204K0TMFI010

ნაწილი საფონდო: 54

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), საათის სიხშირე: 85MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5ms,

სასურველი
CY7C1263XV18-600BZXC

CY7C1263XV18-600BZXC

ნაწილი საფონდო: 6876

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, QDR II+, მეხსიერების ზომა: 36Mb (2M x 18), საათის სიხშირე: 600MHz,

სასურველი
FM25L04B-GA

FM25L04B-GA

ნაწილი საფონდო: 33075

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FRAM, ტექნოლოგია: FRAM (Ferroelectric RAM), მეხსიერების ზომა: 4Kb (512 x 8), საათის სიხშირე: 10MHz,

სასურველი
S29GL01GP11FFIR20

S29GL01GP11FFIR20

ნაწილი საფონდო: 252

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 110ns,

სასურველი
CY14ME064J1A-SXI

CY14ME064J1A-SXI

ნაწილი საფონდო: 709

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 64Kb (8K x 8), საათის სიხშირე: 3.4MHz,

სასურველი
CY7C1265XV18-600BZXC

CY7C1265XV18-600BZXC

ნაწილი საფონდო: 6936

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, QDR II, მეხსიერების ზომა: 36Mb (1M x 36), საათის სიხშირე: 600MHz,

სასურველი
S25FL032P0XBHIS30

S25FL032P0XBHIS30

ნაწილი საფონდო: 9744

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (4M x 8), საათის სიხშირე: 104MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5µs, 3ms,

სასურველი
S29GL01GS10TFI010

S29GL01GS10TFI010

ნაწილი საფონდო: 5357

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
S29GL01GP13FFIV20

S29GL01GP13FFIV20

ნაწილი საფონდო: 319

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 130ns,

სასურველი