მეხსიერება

S29GL01GS11DHV010

S29GL01GS11DHV010

ნაწილი საფონდო: 5176

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (64M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
CY7C1382D-200AXC

CY7C1382D-200AXC

ნაწილი საფონდო: 9533

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 18Mb (1M x 18), საათის სიხშირე: 200MHz,

სასურველი
S29GL01GT10DHA020

S29GL01GT10DHA020

ნაწილი საფონდო: 6639

სასურველი
CY7C1021BNL-15ZXIT

CY7C1021BNL-15ZXIT

ნაწილი საფონდო: 27573

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 1Mb (64K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
CY14E512Q1A-SXIT

CY14E512Q1A-SXIT

ნაწილი საფონდო: 6089

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 512Kb (64K x 8), საათის სიხშირე: 40MHz,

სასურველი
CY7C1399B-12VXCT

CY7C1399B-12VXCT

ნაწილი საფონდო: 9543

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 12ns,

სასურველი
CY7C136-55NXC

CY7C136-55NXC

ნაწილი საფონდო: 9387

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Dual Port, Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Kb (2K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 55ns,

სასურველი
CY7C028-15AXC

CY7C028-15AXC

ნაწილი საფონდო: 4330

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Dual Port, Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 1Mb (64K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
S26KS256SDPBHI020

S26KS256SDPBHI020

ნაწილი საფონდო: 6491

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 166MHz,

სასურველი
CY7C09569V-83AXCT

CY7C09569V-83AXCT

ნაწილი საფონდო: 1983

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Dual Port, Synchronous, მეხსიერების ზომა: 576Kb (16K x 36), საათის სიხშირე: 83MHz,

სასურველი
CY14ME064J1-SXIT

CY14ME064J1-SXIT

ნაწილი საფონდო: 6157

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 64Kb (8K x 8), საათის სიხშირე: 3.4MHz,

სასურველი
S71KL512SC0BHV000

S71KL512SC0BHV000

ნაწილი საფონდო: 6532

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, RAM, ტექნოლოგია: FLASH, DRAM, მეხსიერების ზომა: 512Mbit Flash, 64Mbit RAM, საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
CY7C1019BN-12ZXC

CY7C1019BN-12ZXC

ნაწილი საფონდო: 9003

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 12ns,

სასურველი
CY7C038V-15AC

CY7C038V-15AC

ნაწილი საფონდო: 1882

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Dual Port, Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 1.152Mb (64K x 18), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
CY7C1380D-167AXIT

CY7C1380D-167AXIT

ნაწილი საფონდო: 9428

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 18Mb (512K x 36), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
FM1608B-SG

FM1608B-SG

ნაწილი საფონდო: 6465

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FRAM, ტექნოლოგია: FRAM (Ferroelectric RAM), მეხსიერების ზომა: 64Kb (8K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 130ns,

სასურველი
S26KS256SDGBHI030

S26KS256SDGBHI030

ნაწილი საფონდო: 6540

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
S29GL01GT10DHI010

S29GL01GT10DHI010

ნაწილი საფონდო: 5483

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
CY62157ELL-45ZSXI

CY62157ELL-45ZSXI

ნაწილი საფონდო: 6246

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 8Mb (512K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 45ns,

სასურველი
S71KL512SC0BHB003

S71KL512SC0BHB003

ნაწილი საფონდო: 7569

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, RAM, ტექნოლოგია: FLASH, DRAM, მეხსიერების ზომა: 512Mbit Flash, 64Mbit RAM, საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
CY7C025-15AC

CY7C025-15AC

ნაწილი საფონდო: 1782

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Dual Port, Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 128Kb (8K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
S34ML04G200TFI003

S34ML04G200TFI003

ნაწილი საფონდო: 880

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
S29GL01GT10FHI010

S29GL01GT10FHI010

ნაწილი საფონდო: 5479

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
CY7C1399B-15VC

CY7C1399B-15VC

ნაწილი საფონდო: 1655

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 15ns,

სასურველი
CY7C024AV-20AXC

CY7C024AV-20AXC

ნაწილი საფონდო: 4366

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Dual Port, Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 64Kb (4K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 20ns,

სასურველი
S29GL01GT10TFI020

S29GL01GT10TFI020

ნაწილი საფონდო: 5488

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
S34MS04G204BHI010

S34MS04G204BHI010

ნაწილი საფონდო: 6446

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Gb (256M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 45ns,

სასურველი
CY7C1371D-100AXCT

CY7C1371D-100AXCT

ნაწილი საფონდო: 9506

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 18Mb (512K x 36), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
S29GL01GT11FHIV10

S29GL01GT11FHIV10

ნაწილი საფონდო: 5519

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
S29GL01GT10TFI010

S29GL01GT10TFI010

ნაწილი საფონდო: 5550

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
CY14E256Q1A-SXIT

CY14E256Q1A-SXIT

ნაწილი საფონდო: 6021

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8), საათის სიხშირე: 40MHz,

სასურველი
CY62148BLL-70SXC

CY62148BLL-70SXC

ნაწილი საფონდო: 4290

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
CY7C09349AV-9AXC

CY7C09349AV-9AXC

ნაწილი საფონდო: 8912

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Dual Port, Synchronous, მეხსიერების ზომა: 72Kb (4K x 18), საათის სიხშირე: 67MHz,

სასურველი
S34MS04G100TFI900

S34MS04G100TFI900

ნაწილი საფონდო: 182

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 45ns,

სასურველი
CY62157EV30LL-55ZXE

CY62157EV30LL-55ZXE

ნაწილი საფონდო: 6281

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 8Mb (512K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 55ns,

სასურველი
CY7C1021CV33-10ZC

CY7C1021CV33-10ZC

ნაწილი საფონდო: 1962

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 1Mb (64K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი