მეხსიერება

S99-50244 P

S99-50244 P

ნაწილი საფონდო: 2806

სასურველი
CY7C10612G30-10ZSXI

CY7C10612G30-10ZSXI

ნაწილი საფონდო: 5059

სასურველი
S99ML04G10044

S99ML04G10044

ნაწილი საფონდო: 6466

სასურველი
CY62167EV18LL-55BVIT

CY62167EV18LL-55BVIT

ნაწილი საფონდო: 4457

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 55ns,

სასურველი
S34ML08G201BHA000

S34ML08G201BHA000

ნაწილი საფონდო: 3231

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 8Gb (1G x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
IS29GL256S-10TFV020

IS29GL256S-10TFV020

ნაწილი საფონდო: 5947

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
QMP29GL512P11TFI010

QMP29GL512P11TFI010

ნაწილი საფონდო: 1921

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16),

სასურველი
IS29GL512S-11DHB010

IS29GL512S-11DHB010

ნაწილი საფონდო: 6219

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
CG8258AAT

CG8258AAT

ნაწილი საფონდო: 5252

სასურველი
S29GL512N11FFVR20

S29GL512N11FFVR20

ნაწილი საფონდო: 6912

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 110ns,

სასურველი
S34SL02G200BHI000

S34SL02G200BHI000

ნაწილი საფონდო: 11297

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8),

სასურველი
FM28V020-TG

FM28V020-TG

ნაწილი საფონდო: 4495

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FRAM, ტექნოლოგია: FRAM (Ferroelectric RAM), მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 140ns,

სასურველი
IS29GL512S-11DHV023

IS29GL512S-11DHV023

ნაწილი საფონდო: 692

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
S29WS512R0SBHW200

S29WS512R0SBHW200

ნაწილი საფონდო: 459

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), საათის სიხშირე: 104MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
IS29GL256S-10TFV023

IS29GL256S-10TFV023

ნაწილი საფონდო: 5953

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
S99GL512P11TFI020

S99GL512P11TFI020

ნაწილი საფონდო: 2576

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16),

სასურველი
S34ML02G200GHI003

S34ML02G200GHI003

ნაწილი საფონდო: 14400

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
S99-50407

S99-50407

ნაწილი საფონდო: 9635

სასურველი
CY7C1061G30-10BVJXI

CY7C1061G30-10BVJXI

ნაწილი საფონდო: 4247

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
S29PL127J70BFI003

S29PL127J70BFI003

ნაწილი საფონდო: 8424

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 70ns,

სასურველი
S99-50391

S99-50391

ნაწილი საფონდო: 3378

სასურველი
S29GL02GS12TFSR20

S29GL02GS12TFSR20

ნაწილი საფონდო: 3486

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 2Mb (256M x 8),

სასურველი
STK10C68-5C45M

STK10C68-5C45M

ნაწილი საფონდო: 1845

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 64Kb (8K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 45ns,

სასურველი
S99GL01GP11FFIR10

S99GL01GP11FFIR10

ნაწილი საფონდო: 2412

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8),

სასურველი
S70FL01GSAGBHBC10

S70FL01GSAGBHBC10

ნაწილი საფონდო: 4412

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
CG7965AAT

CG7965AAT

ნაწილი საფონდო: 7936

სასურველი
CY14V101NA-BA45XIT

CY14V101NA-BA45XIT

ნაწილი საფონდო: 4885

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 1Mb (64K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 45ns,

სასურველი
CG7965AA

CG7965AA

ნაწილი საფონდო: 7971

სასურველი
CY14V101LA-BA45XIT

CY14V101LA-BA45XIT

ნაწილი საფონდო: 4789

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 45ns,

სასურველი
CG8233AA

CG8233AA

ნაწილი საფონდო: 1516

სასურველი
CY62167G30-55ZXE

CY62167G30-55ZXE

ნაწილი საფონდო: 4881

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 55ns,

სასურველი
CY14B256KA-SP45XIT

CY14B256KA-SP45XIT

ნაწილი საფონდო: 5728

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 45ns,

სასურველი
CY14V256LA-BA35XI

CY14V256LA-BA35XI

ნაწილი საფონდო: 5831

სასურველი
CY15B101N-ZS60XAT

CY15B101N-ZS60XAT

ნაწილი საფონდო: 4645

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FRAM, ტექნოლოგია: FRAM (Ferroelectric RAM), მეხსიერების ზომა: 1Mb (64K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 90ns,

სასურველი
CY7C1061GN30-10BV1XIT

CY7C1061GN30-10BV1XIT

ნაწილი საფონდო: 1052

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
CY14B101NA-ZS25XIT

CY14B101NA-ZS25XIT

ნაწილი საფონდო: 4795

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 1Mb (64K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი