მეხსიერება

S70GL02GS11FHV023

S70GL02GS11FHV023

ნაწილი საფონდო: 3629

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 2Gb (128M x 16),

სასურველი
STK14C88A-WAF

STK14C88A-WAF

ნაწილი საფონდო: 1858

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 256Kb (32K x 8),

სასურველი
S29GL512P10TFCR10D

S29GL512P10TFCR10D

ნაწილი საფონდო: 5586

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 100ns,

სასურველი
S34ML08G201BHB000

S34ML08G201BHB000

ნაწილი საფონდო: 4051

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 8Gb (1G x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
S25FL032P0XMFI001M

S25FL032P0XMFI001M

ნაწილი საფონდო: 2793

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (4M x 8), საათის სიხშირე: 104MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5µs, 3ms,

სასურველი
IS29GL01GS-11TFV013

IS29GL01GS-11TFV013

ნაწილი საფონდო: 718

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
S25FL064P0XNFV003M

S25FL064P0XNFV003M

ნაწილი საფონდო: 3197

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (8M x 8), საათის სიხშირე: 104MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5µs, 3ms,

სასურველი
S34ML02G200BHA000

S34ML02G200BHA000

ნაწილი საფონდო: 9659

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
IS29GL128S-10DHB010

IS29GL128S-10DHB010

ნაწილი საფონდო: 6932

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
S34ML02G200BHI003

S34ML02G200BHI003

ნაწილი საფონდო: 12553

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
S25FL132K0XNFI040

S25FL132K0XNFI040

ნაწილი საფონდო: 3699

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (4M x 8), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 3ms,

სასურველი
CY7C1444AV33-1XWI

CY7C1444AV33-1XWI

ნაწილი საფონდო: 9350

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 36Mb (1M x 36),

სასურველი
CQ191-80056

CQ191-80056

ნაწილი საფონდო: 2727

სასურველი
S34SL02G200BHV003

S34SL02G200BHV003

ნაწილი საფონდო: 11315

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8),

სასურველი
S29GL01GP13FAIV10

S29GL01GP13FAIV10

ნაწილი საფონდო: 2008

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 130ns,

სასურველი
S29PL127J65BAW000

S29PL127J65BAW000

ნაწილი საფონდო: 7336

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (8M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 65ns,

სასურველი
S25FL064P0XMFV000M

S25FL064P0XMFV000M

ნაწილი საფონდო: 3080

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (8M x 8), საათის სიხშირე: 104MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5µs, 3ms,

სასურველი
S29GL512P10FAIR10

S29GL512P10FAIR10

ნაწილი საფონდო: 2021

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 100ns,

სასურველი
S29GL512P11TFI020D

S29GL512P11TFI020D

ნაწილი საფონდო: 5614

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 110ns,

სასურველი
IS29GL01GS-11DHB02

IS29GL01GS-11DHB02

ნაწილი საფონდო: 7483

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
S34ML08G201TFV000

S34ML08G201TFV000

ნაწილი საფონდო: 4027

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 8Gb (1G x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
S70GL02GS12FHVV23

S70GL02GS12FHVV23

ნაწილი საფონდო: 1723

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 2Gb (128M x 16),

სასურველი
S25FL032P0XMFI003M

S25FL032P0XMFI003M

ნაწილი საფონდო: 9043

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (4M x 8), საათის სიხშირე: 104MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5µs, 3ms,

სასურველი
S30ML512P30TFI000

S30ML512P30TFI000

ნაწილი საფონდო: 6116

სასურველი
S34ML08G201TFB003

S34ML08G201TFB003

ნაწილი საფონდო: 4733

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 8Gb (1G x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
S25FL064P0XMFV003M

S25FL064P0XMFV003M

ნაწილი საფონდო: 3179

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (8M x 8), საათის სიხშირე: 104MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5µs, 3ms,

სასურველი
CY62167GE-45ZXI

CY62167GE-45ZXI

ნაწილი საფონდო: 4432

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 45ns,

სასურველი
S29GL512N11TFVR20

S29GL512N11TFVR20

ნაწილი საფონდო: 3473

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 110ns,

სასურველი
FM25040B-GA1

FM25040B-GA1

ნაწილი საფონდო: 6803

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FRAM, ტექნოლოგია: FRAM (Ferroelectric RAM), მეხსიერების ზომა: 4Kb (512 x 8), საათის სიხშირე: 14MHz,

სასურველი
S99FL132KI010

S99FL132KI010

ნაწილი საფონდო: 3492

სასურველი
S99GL01GP11TFIR20

S99GL01GP11TFIR20

ნაწილი საფონდო: 9316

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 1Gb (128M x 8),

სასურველი
S34SL04G200BHI003

S34SL04G200BHI003

ნაწილი საფონდო: 9623

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8),

სასურველი
S34MS08G201BHA000

S34MS08G201BHA000

ნაწილი საფონდო: 4176

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 8Gb (1G x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 45ns,

სასურველი
CG8257AAT

CG8257AAT

ნაწილი საფონდო: 5325

სასურველი
S34SL04G200BHI000

S34SL04G200BHI000

ნაწილი საფონდო: 8291

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 4Gb (512M x 8),

სასურველი
IS29GL512S-11DHV020

IS29GL512S-11DHV020

ნაწილი საფონდო: 692

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი