მეხსიერება

S25FL128P0XMFI000M

S25FL128P0XMFI000M

ნაწილი საფონდო: 894

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 104MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 3µs,

სასურველი
CY14B104LA-BA25XI

CY14B104LA-BA25XI

ნაწილი საფონდო: 3531

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
CG8200AAT

CG8200AAT

ნაწილი საფონდო: 2024

სასურველი
CG8280AA

CG8280AA

ნაწილი საფონდო: 43124

სასურველი
CG8260AAT

CG8260AAT

ნაწილი საფონდო: 273

სასურველი
S25FL129P0XMFI011M

S25FL129P0XMFI011M

ნაწილი საფონდო: 1109

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 104MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5µs, 3ms,

სასურველი
CY7C1318KV18-250BZCT

CY7C1318KV18-250BZCT

ნაწილი საფონდო: 3746

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, DDR II, მეხსიერების ზომა: 18Mb (1M x 18), საათის სიხშირე: 250MHz,

სასურველი
S30MS02GR25TFW100

S30MS02GR25TFW100

ნაწილი საფონდო: 8591

სასურველი
FM25V20A-G

FM25V20A-G

ნაწილი საფონდო: 3870

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FRAM, ტექნოლოგია: FRAM (Ferroelectric RAM), მეხსიერების ზომა: 2Mb (256K x 8), საათის სიხშირე: 40MHz,

სასურველი
IS29GL512S-11DHB02-TR

IS29GL512S-11DHB02-TR

ნაწილი საფონდო: 7885

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
S25FL128LAGBHB023

S25FL128LAGBHB023

ნაწილი საფონდო: 8364

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
S34ML08G101BHI000

S34ML08G101BHI000

ნაწილი საფონდო: 2837

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 8Gb (1G x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
S25FL128P0XMFI011M

S25FL128P0XMFI011M

ნაწილი საფონდო: 954

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 104MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 3µs,

სასურველი
S25FL128LAGNFB011

S25FL128LAGNFB011

ნაწილი საფონდო: 8513

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
CG8404AA

CG8404AA

ნაწილი საფონდო: 2203

სასურველი
CG7825AA

CG7825AA

ნაწილი საფონდო: 1642

სასურველი
CG8241AA

CG8241AA

ნაწილი საფონდო: 100

სასურველი
S70GL02GT12FHAV13

S70GL02GT12FHAV13

ნაწილი საფონდო: 7678

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

სასურველი
S25FL129P0XNFI011M

S25FL129P0XNFI011M

ნაწილი საფონდო: 1304

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 104MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5µs, 3ms,

სასურველი
IS29GL128S-10DHB02

IS29GL128S-10DHB02

ნაწილი საფონდო: 7538

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
CG7892AA

CG7892AA

ნაწილი საფონდო: 1979

სასურველი
CG7892AAT

CG7892AAT

ნაწილი საფონდო: 1946

სასურველი
CY15B104Q-SXIT

CY15B104Q-SXIT

ნაწილი საფონდო: 3946

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FRAM, ტექნოლოგია: FRAM (Ferroelectric RAM), მეხსიერების ზომა: 4Mb (512K x 8), საათის სიხშირე: 40MHz,

სასურველი
CY7C09159AV-12AC

CY7C09159AV-12AC

ნაწილი საფონდო: 4010

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Dual Port, Synchronous, მეხსიერების ზომა: 72Kb (8K x 9), საათის სიხშირე: 50MHz,

სასურველი
CG6740ATT

CG6740ATT

ნაწილი საფონდო: 1582

სასურველი
S25FL132K0XNFI041

S25FL132K0XNFI041

ნაწილი საფონდო: 3804

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (4M x 8), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 3ms,

სასურველი
S34MS02G100BHB003

S34MS02G100BHB003

ნაწილი საფონდო: 9513

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 45ns,

სასურველი
S34ML02G200TFI003

S34ML02G200TFI003

ნაწილი საფონდო: 9463

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
S99-50204A

S99-50204A

ნაწილი საფონდო: 5686

სასურველი
S25FL064P0XNFI003M

S25FL064P0XNFI003M

ნაწილი საფონდო: 3133

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (8M x 8), საათის სიხშირე: 104MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5µs, 3ms,

სასურველი
S99FL064PM001

S99FL064PM001

ნაწილი საფონდო: 3448

სასურველი
CY62167G-45BVXI

CY62167G-45BVXI

ნაწილი საფონდო: 5264

სასურველი
QMPGL512P11TFI010

QMPGL512P11TFI010

ნაწილი საფონდო: 2019

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (32M x 16),

სასურველი
S25FL064LABMFA003

S25FL064LABMFA003

ნაწილი საფონდო: 7089

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (8M x 8), საათის სიხშირე: 108MHz,

სასურველი
S25FL064P0XNFI001M

S25FL064P0XNFI001M

ნაწილი საფონდო: 3125

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 64Mb (8M x 8), საათის სიხშირე: 104MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5µs, 3ms,

სასურველი
S25FL132K0XNFI043

S25FL132K0XNFI043

ნაწილი საფონდო: 3683

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 32Mb (4M x 8), საათის სიხშირე: 108MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 3ms,

სასურველი