მეხსიერება

CG8413AAT

CG8413AAT

ნაწილი საფონდო: 1881

სასურველი
IS29GL512S-11DHV01

IS29GL512S-11DHV01

ნაწილი საფონდო: 7802

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
CY7C1024DV33-10BGXI

CY7C1024DV33-10BGXI

ნაწილი საფონდო: 3968

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 3Mb (128K x 24), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

სასურველი
S70GL02GS11FHV020

S70GL02GS11FHV020

ნაწილი საფონდო: 3307

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 2Gb (128M x 16),

სასურველი
S30ML512P30TFI503

S30ML512P30TFI503

ნაწილი საფონდო: 8384

სასურველი
CY14B101LA-BA45XI

CY14B101LA-BA45XI

ნაწილი საფონდო: 3557

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 45ns,

სასურველი
IS29GL512S-11DHB01

IS29GL512S-11DHB01

ნაწილი საფონდო: 7780

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 512Mb (64M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
CG8065AAT

CG8065AAT

ნაწილი საფონდო: 1998

სასურველი
S30ML512P30TFI003

S30ML512P30TFI003

ნაწილი საფონდო: 8339

სასურველი
S25FL129P0XMFV013M

S25FL129P0XMFV013M

ნაწილი საფონდო: 1222

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 104MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5µs, 3ms,

სასურველი
S34ML08G101TFI200

S34ML08G101TFI200

ნაწილი საფონდო: 2929

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NAND, მეხსიერების ზომა: 8Gb (1G x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
CY14B101LA-ZS20XIT

CY14B101LA-ZS20XIT

ნაწილი საფონდო: 4003

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 20ns,

სასურველი
CY14B101KA-ZS25XIT

CY14B101KA-ZS25XIT

ნაწილი საფონდო: 4038

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 25ns,

სასურველი
CY7C1386KV33-167AXCT

CY7C1386KV33-167AXCT

ნაწილი საფონდო: 3563

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 18Mb (512K x 36), საათის სიხშირე: 167MHz,

სასურველი
S25FL128P0XMFI003M

S25FL128P0XMFI003M

ნაწილი საფონდო: 2120

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 104MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 3µs,

სასურველი
CY14B101LA-ZS20XI

CY14B101LA-ZS20XI

ნაწილი საფონდო: 3615

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 20ns,

სასურველი
CY7C1361C-100AXET

CY7C1361C-100AXET

ნაწილი საფონდო: 3732

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 9Mb (256K x 36), საათის სიხშირე: 100MHz,

სასურველი
CY7C1371KV33-133AXCT

CY7C1371KV33-133AXCT

ნაწილი საფონდო: 3509

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 18Mb (512K x 36), საათის სიხშირე: 133MHz,

სასურველი
CG8090AA

CG8090AA

ნაწილი საფონდო: 812

სასურველი
CG8328AMT

CG8328AMT

ნაწილი საფონდო: 409

სასურველი
CG8303AAT

CG8303AAT

ნაწილი საფონდო: 9288

სასურველი
CG8405AA

CG8405AA

ნაწილი საფონდო: 2106

სასურველი
CG8318AAT

CG8318AAT

ნაწილი საფონდო: 2039

სასურველი
CG7859AA

CG7859AA

ნაწილი საფონდო: 1842

სასურველი
S25FL129P0XMFI003M

S25FL129P0XMFI003M

ნაწილი საფონდო: 1061

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 104MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5µs, 3ms,

სასურველი
IS29GL256S-10DHV02

IS29GL256S-10DHV02

ნაწილი საფონდო: 7693

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
CG8097AA

CG8097AA

ნაწილი საფონდო: 2328

სასურველი
IS29GL128S-10TFV02-TR

IS29GL128S-10TFV02-TR

ნაწილი საფონდო: 7647

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

სასურველი
CY7C1321KV18-250BZCT

CY7C1321KV18-250BZCT

ნაწილი საფონდო: 3823

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, DDR II, მეხსიერების ზომა: 18Mb (512K x 36), საათის სიხშირე: 250MHz,

სასურველი
CG8315AAT

CG8315AAT

ნაწილი საფონდო: 1761

სასურველი
CG8273AAT

CG8273AAT

ნაწილი საფონდო: 436

სასურველი
S30MS01GR25TFW000

S30MS01GR25TFW000

ნაწილი საფონდო: 8554

სასურველი
S25FL129P0XMFV001M

S25FL129P0XMFV001M

ნაწილი საფონდო: 1117

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 104MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 5µs, 3ms,

სასურველი
CY14B101LA-SP45XIT

CY14B101LA-SP45XIT

ნაწილი საფონდო: 3873

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 1Mb (128K x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 45ns,

სასურველი
MSP14LV160-E1-TK-001

MSP14LV160-E1-TK-001

ნაწილი საფონდო: 819

სასურველი
S99-50043-02

S99-50043-02

ნაწილი საფონდო: 1342

სასურველი