მეხსიერება

CY7C1382DV33-167BZI

ნაწილი საფონდო: 3168

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 18Mb (1M x 18), საათის სიხშირე: 167MHz,

CY7C1320KV18-250BZCT

ნაწილი საფონდო: 3197

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, DDR II, მეხსიერების ზომა: 18Mb (512K x 36), საათის სიხშირე: 250MHz,

CY7C1387D-167BZI

ნაწილი საფონდო: 3120

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 18Mb (1M x 18), საათის სიხშირე: 167MHz,

CY7C1380KV33-167BZIT

ნაწილი საფონდო: 2990

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, მეხსიერების ზომა: 18Mb (512K x 36), საათის სიხშირე: 167MHz,

CY7C1315KV18-250BZIT

ნაწილი საფონდო: 143

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Synchronous, QDR II, მეხსიერების ზომა: 18Mb (512K x 36), საათის სიხშირე: 250MHz,

S99-50481

ნაწილი საფონდო: 2556

CY62167EV18LL-55BVI

ნაწილი საფონდო: 3043

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 55ns,

CG7905AA

ნაწილი საფონდო: 4505

CG8317AAT

ნაწილი საფონდო: 1751

CG8314AA

ნაწილი საფონდო: 1470

CG8019AA

ნაწილი საფონდო: 2386

CG8105AA

ნაწილი საფონდო: 2420

S30MS01GP25TFW000

ნაწილი საფონდო: 842

S70GL02GS11FHA010

ნაწილი საფონდო: 165

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 2Gb (128M x 16),

CG8350AAT

ნაწილი საფონდო: 501

S30MS01GR25TFW010

ნაწილი საფონდო: 8090

IS29GL256S-10DHB02-TR

ნაწილი საფონდო: 7752

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 256Mb (32M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

S70GL02GT11FHV010

ნაწილი საფონდო: 3453

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

IS29GL128S-10DHV02-TR

ნაწილი საფონდო: 774

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

CG8316AAT

ნაწილი საფონდო: 1807

IS29GL128S-10DHV01-TR

ნაწილი საფონდო: 7638

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

CG8273AA

ნაწილი საფონდო: 448

IS29GL128S-10DHB01

ნაწილი საფონდო: 7542

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 60ns,

CG8245AA

ნაწილი საფონდო: 2035

CY7C1061G30-10BV1XET

ნაწილი საფონდო: 3920

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 10ns,

CY14V104NA-BA45XIT

ნაწილი საფონდო: 3530

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: NVSRAM, ტექნოლოგია: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), მეხსიერების ზომა: 4Mb (256K x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 45ns,

CG8120AAT

ნაწილი საფონდო: 1600

S30ML512P50TFI513

ნაწილი საფონდო: 8529

CG7925AM

ნაწილი საფონდო: 2102

S30ML02GP30TFI500

ნაწილი საფონდო: 7947

S25FL128P0XMFI011S

ნაწილი საფონდო: 987

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 128Mb (16M x 8), საათის სიხშირე: 104MHz, დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 3µs,

CG8534AAT

ნაწილი საფონდო: 2018

CG8244AA

ნაწილი საფონდო: 169

S70GL02GT12FHIV20

ნაწილი საფონდო: 143

მეხსიერების ტიპი: Non-Volatile, მეხსიერების ფორმატი: FLASH, ტექნოლოგია: FLASH - NOR, მეხსიერების ზომა: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

CY62167G18-55BVXI

ნაწილი საფონდო: 4054

მეხსიერების ტიპი: Volatile, მეხსიერების ფორმატი: SRAM, ტექნოლოგია: SRAM - Asynchronous, მეხსიერების ზომა: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი: 55ns,

S30ML02GP50TFI013

ნაწილი საფონდო: 7980