სოკეტების IC, ტრანზისტორებისთვის

220-2600-00-0602

ნაწილი საფონდო: 1928

ტიპი: SIP, ZIF (ZIP), პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 20 (1 x 20), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

228-7396-55-1902

ნაწილი საფონდო: 1954

ტიპი: SOIC, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 28 (2 x 14), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

255-7322-02-0602

ნაწილი საფონდო: 132

255-7322-01-0602

ნაწილი საფონდო: 73

255-7322-52-0602

ნაწილი საფონდო: 109

203-2737-55-1102

ნაწილი საფონდო: 2093

ტიპი: Transistor, TO-3 and TO-66, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 3 (Rectangular), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 30.0µin (0.76µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

255-7322-51-0602

ნაწილი საფონდო: 117

256-1292-00-0602J

ნაწილი საფონდო: 2155

ტიპი: DIP, ZIF (ZIP), 0.6" (15.24mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 56 (2 x 28), მოედანი - შეწყვილება: 0.070" (1.78mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 30.0µin (0.76µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

232-1270-51-0602

ნაწილი საფონდო: 2165

232-1270-02-0602

ნაწილი საფონდო: 2092

ტიპი: PGA, ZIF (ZIP), პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 32 (2 x 16), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 30.0µin (0.76µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

232-1270-01-0602

ნაწილი საფონდო: 2100

ტიპი: PGA, ZIF (ZIP), პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 32 (2 x 16), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 30.0µin (0.76µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

242-1289-00-0602J

ნაწილი საფონდო: 2162

ტიპი: DIP, ZIF (ZIP), 0.6" (15.24mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 42 (2 x 21), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 30.0µin (0.76µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

240-1288-00-0602J

ნაწილი საფონდო: 2125

ტიპი: DIP, ZIF (ZIP), 0.6" (15.24mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 40 (2 x 20), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 30.0µin (0.76µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

210-2599-00-0602

ნაწილი საფონდო: 2176

ტიპი: SIP, ZIF (ZIP), პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 10 (1 x 10), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 30.0µin (0.76µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

220-2600-50-0602

ნაწილი საფონდო: 53

239-5605-52-0602

ნაწილი საფონდო: 2106

264-1300-00-0602J

ნაწილი საფონდო: 2266

ტიპი: DIP, ZIF (ZIP), 0.9" (22.86mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 64 (2 x 32), მოედანი - შეწყვილება: 0.070" (1.78mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 30.0µin (0.76µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

232-1270-52-0602

ნაწილი საფონდო: 2083

239-5605-51-0602

ნაწილი საფონდო: 2170

220-7201-55-1902

ნაწილი საფონდო: 2316

ტიპი: SOIC, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 20 (2 x 10), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

240-3639-00-0602J

ნაწილი საფონდო: 2318

ტიპი: DIP, ZIF (ZIP), 1.0" (25.40mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 40 (2 x 20), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 30.0µin (0.76µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

224-7397-55-1902

ნაწილი საფონდო: 2189

ტიპი: SOIC, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 24 (2 x 12), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

210-2599-50-0602

ნაწილი საფონდო: 146

232-1287-00-0602J

ნაწილი საფონდო: 2553

ტიპი: DIP, ZIF (ZIP), 0.6" (15.24mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 32 (2 x 16), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 30.0µin (0.76µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

216-7383-55-1902

ნაწილი საფონდო: 2673

ტიპი: SOIC, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 16 (2 x 8), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

216-7224-55-1902

ნაწილი საფონდო: 2645

ტიპი: SOIC, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 16 (2 x 8), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

228-1371-00-0602J

ნაწილი საფონდო: 2767

ტიპი: DIP, ZIF (ZIP), 0.6" (15.24mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 28 (2 x 14), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 30.0µin (0.76µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

248-1282-00-0602J

ნაწილი საფონდო: 2700

ტიპი: DIP, ZIF (ZIP), 0.6" (15.24mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 48 (2 x 24), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 30.0µin (0.76µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

242-1293-00-0602J

ნაწილი საფონდო: 2865

ტიპი: DIP, ZIF (ZIP), 0.6" (15.24mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 42 (2 x 21), მოედანი - შეწყვილება: 0.070" (1.78mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 30.0µin (0.76µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

232-1291-00-0602J

ნაწილი საფონდო: 2903

ტიპი: DIP, ZIF (ZIP), 0.6" (15.24mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 32 (2 x 16), მოედანი - შეწყვილება: 0.070" (1.78mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 30.0µin (0.76µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

218-7223-55-1902

ნაწილი საფონდო: 2595

ტიპი: SOIC, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 18 (2 x 9), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

214-7390-55-1902

ნაწილი საფონდო: 2872

ტიპი: SOIC, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 14 (2 x 7), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

208-7391-55-1902

ნაწილი საფონდო: 2959

ტიპი: SOIC, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 8 (2 x 4), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 30.0µin (0.76µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

224-5248-00-0602J

ნაწილი საფონდო: 3223

ტიპი: DIP, ZIF (ZIP), 0.3" (7.62mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 24 (2 x 12), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 30.0µin (0.76µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

224-1286-00-0602J

ნაწილი საფონდო: 3366

ტიპი: DIP, ZIF (ZIP), 0.6" (15.24mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 24 (2 x 12), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 30.0µin (0.76µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,

228-4817-00-0602J

ნაწილი საფონდო: 3381

ტიპი: DIP, ZIF (ZIP), 0.4" (10.16mm) Row Spacing, პოზიციების ან ქინძისთავების რაოდენობა (ბადე): 28 (2 x 14), მოედანი - შეწყვილება: 0.100" (2.54mm), Contact Finish - შეწყვილება: Gold, საკონტაქტო დასრულების სისქე - შეწყვილება: 30.0µin (0.76µm), საკონტაქტო მასალა - შეწყვილება: Beryllium Copper,