ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | N and P-Channel |
FET ფუნქცია | Logic Level Gate |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 30V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 2.7A, 2A |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 1.4A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 1V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 12nC @ 10V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 210pF @ 25V |
სიმძლავრე - მაქს | 1.25W |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
პაკეტი / კორპუსი | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | Micro8™ |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |