ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | N and P-Channel |
FET ფუნქცია | Logic Level Gate |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 20V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 2.4A, 1.7A |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 1.7A, 4.5V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 700mV @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 8nC @ 4.5V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 260pF @ 15V |
სიმძლავრე - მაქს | 1.25W |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
პაკეტი / კორპუსი | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | Micro8™ |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |