ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 20V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 2.5V, 4.5V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 1.5V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 3.8nC @ 4.5V |
Vgs (მაქს) | ±12V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 273pF @ 10V |
FET ფუნქცია | Schottky Diode (Isolated) |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 1.7W (Ta) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | MicroFET 3x3mm |
პაკეტი / კორპუსი | 6-WDFN Exposed Pad |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |