ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Obsolete |
---|---|
FET ტიპი | P-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 20V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 1.8V, 4.5V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 1.3V @ 250µA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
Vgs (მაქს) | ±8V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 435pF @ 10V |
FET ფუნქცია | Schottky Diode (Isolated) |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 1.4W (Ta) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 6-MicroFET (2x2) |
პაკეტი / კორპუსი | 6-VDFN Exposed Pad |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |