| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| FET ტიპი | N and P-Channel |
| FET ფუნქცია | Logic Level Gate |
| გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 30V |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 8.5A, 7A |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 16.1nC @ 10V |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 767pF @ 10V |
| სიმძლავრე - მაქს | 2.5W |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| პაკეტი / კორპუსი | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-SO |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
