| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Last Time Buy |
|---|---|
| FET ტიპი | 2 N-Channel (Dual) |
| FET ფუნქცია | Logic Level Gate |
| გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 65V |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 4.8A (Tc) |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 60.7 mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2V @ 1mA |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 8.8nC @ 5V |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 712pF @ 25V |
| სიმძლავრე - მაქს | 3.2W (Tc) |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| პაკეტი / კორპუსი | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 20-SO |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
