ბეჭდვა | აღწერილობა |
ნაწილის სტატუსი | Active |
---|---|
FET ტიპი | N-Channel |
ტექნოლოგია | MOSFET (Metal Oxide) |
გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 30V |
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 70A (Ta) |
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური RDS, მინიმალური RDS ჩართული) | 5V, 10V |
Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 4.1 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2.1V @ 1mA |
კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 22.5nC @ 5V |
Vgs (მაქს) | ±10V |
შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 2467pF @ 25V |
FET ფუნქცია | - |
ენერგიის გაფრქვევა (მაქს) | 79W (Ta) |
ოპერაციული ტემპერატურა | -55°C ~ 175°C (TJ) |
სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | LFPAK33 |
პაკეტი / კორპუსი | SOT-1210, 8-LFPAK33 |
Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
---|---|
ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |