ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

MP9100-0.40-1%

MP9100-0.40-1%

ნაწილი საფონდო: 5600

წინააღმდეგობა: 400 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +200ppm/°C,

სასურველი
MP9100-0.75-1%

MP9100-0.75-1%

ნაწილი საფონდო: 5579

წინააღმდეგობა: 750 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -20/ +80ppm/°C,

სასურველი
MP9100-0.15-1%

MP9100-0.15-1%

ნაწილი საფონდო: 5563

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +200ppm/°C,

სასურველი
MP2060-0.010-2%

MP2060-0.010-2%

ნაწილი საფონდო: 6005

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 36W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +300ppm/°C,

სასურველი
MP2060-0.050-1%

MP2060-0.050-1%

ნაწილი საფონდო: 5963

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 60W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +100ppm/°C,

სასურველი
MP821-0.020-1%

MP821-0.020-1%

ნაწილი საფონდო: 6033

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +300ppm/°C,

სასურველი
MP2060-0.005-5%

MP2060-0.005-5%

ნაწილი საფონდო: 5650

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 18W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +300ppm/°C,

სასურველი
MP850-0.20-1%

MP850-0.20-1%

ნაწილი საფონდო: 6029

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +200ppm/°C,

სასურველი
MP850-0.50-1%

MP850-0.50-1%

ნაწილი საფონდო: 6003

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -20/ +80ppm/°C,

სასურველი
MP2060-0.020-1%

MP2060-0.020-1%

ნაწილი საფონდო: 6044

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 60W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +200ppm/°C,

სასურველი
MP9100-4.00-1%

MP9100-4.00-1%

ნაწილი საფონდო: 5978

წინააღმდეგობა: 4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -20/ +80ppm/°C,

სასურველი
MP9100-7.50-1%

MP9100-7.50-1%

ნაწილი საფონდო: 6034

წინააღმდეგობა: 7.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -20/ +80ppm/°C,

სასურველი
MP9100-3.30-1%

MP9100-3.30-1%

ნაწილი საფონდო: 6004

წინააღმდეგობა: 3.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -20/ +80ppm/°C,

სასურველი
MP9100-8.00-1%

MP9100-8.00-1%

ნაწილი საფონდო: 5971

წინააღმდეგობა: 8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -20/ +80ppm/°C,

სასურველი
MP821-0.050-1%

MP821-0.050-1%

ნაწილი საფონდო: 5987

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +200ppm/°C,

სასურველი
MP821-0.20-1%

MP821-0.20-1%

ნაწილი საფონდო: 6378

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +200ppm/°C,

სასურველი
MP821-0.10-1%

MP821-0.10-1%

ნაწილი საფონდო: 6364

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +200ppm/°C,

სასურველი
MP850-5.00-1%

MP850-5.00-1%

ნაწილი საფონდო: 6279

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -20/ +50ppm/°C,

სასურველი
MP850-1.00-1%

MP850-1.00-1%

ნაწილი საფონდო: 6245

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -20/ +80ppm/°C,

სასურველი
MP821-0.50-1%

MP821-0.50-1%

ნაწილი საფონდო: 6377

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -20/ +80ppm/°C,

სასურველი
MP850-2.00-1%

MP850-2.00-1%

ნაწილი საფონდო: 6220

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -20/ +80ppm/°C,

სასურველი
USF340-100K-0.1%-5PPM

USF340-100K-0.1%-5PPM

ნაწილი საფონდო: 6226

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
USF340-5.00M-0.1%-5PPM

USF340-5.00M-0.1%-5PPM

ნაწილი საფონდო: 6502

წინააღმდეგობა: 5 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
MP9100-56.0-1%

MP9100-56.0-1%

ნაწილი საფონდო: 6578

წინააღმდეგობა: 56 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -20/ +80ppm/°C,

სასურველი
MP9100-27.0-1%

MP9100-27.0-1%

ნაწილი საფონდო: 6572

წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -20/ +80ppm/°C,

სასურველი
MP9100-47.0-1%

MP9100-47.0-1%

ნაწილი საფონდო: 6638

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -20/ +80ppm/°C,

სასურველი
MP9100-12.0-1%

MP9100-12.0-1%

ნაწილი საფონდო: 6523

წინააღმდეგობა: 12 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -20/ +80ppm/°C,

სასურველი
MP2060-0.50-1%

MP2060-0.50-1%

ნაწილი საფონდო: 6714

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 60W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -20/ +80ppm/°C,

სასურველი
MP925-82.0K-1%

MP925-82.0K-1%

ნაწილი საფონდო: 16069

წინააღმდეგობა: 82 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -20/ +80ppm/°C,

სასურველი
MP2060-0.10-1%

MP2060-0.10-1%

ნაწილი საფონდო: 6685

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 60W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +100ppm/°C,

სასურველი
MP2060-0.20-1%

MP2060-0.20-1%

ნაწილი საფონდო: 6732

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 60W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, Non-Inductive, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +100ppm/°C,

სასურველი
MP825-0.050-1%

MP825-0.050-1%

ნაწილი საფონდო: 6196

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +200ppm/°C,

სასურველი
USF340-20.0K-0.1%-5PPM

USF340-20.0K-0.1%-5PPM

ნაწილი საფონდო: 6978

წინააღმდეგობა: 20 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
MP850-25.0-1%

MP850-25.0-1%

ნაწილი საფონდო: 7013

წინააღმდეგობა: 25 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -20/ +50ppm/°C,

სასურველი
USF340-50.0K-0.1%-5PPM

USF340-50.0K-0.1%-5PPM

ნაწილი საფონდო: 6960

წინააღმდეგობა: 50 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
MP850-75.0-1%

MP850-75.0-1%

ნაწილი საფონდო: 6973

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -20/ +50ppm/°C,

სასურველი