ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

USF370-2.00M-0.01%-5PPM

USF370-2.00M-0.01%-5PPM

ნაწილი საფონდო: 1887

წინააღმდეგობა: 2 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
USF371-25.0M-0.01%-5PPM

USF371-25.0M-0.01%-5PPM

ნაწილი საფონდო: 1660

წინააღმდეგობა: 25 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
USF370-10.0M-0.01%-5PPM

USF370-10.0M-0.01%-5PPM

ნაწილი საფონდო: 1826

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
USF370-5.00M-0.01%-5PPM

USF370-5.00M-0.01%-5PPM

ნაწილი საფონდო: 1778

წინააღმდეგობა: 5 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
USF370-9.90M-0.01%-5PPM

USF370-9.90M-0.01%-5PPM

ნაწილი საფონდო: 1818

წინააღმდეგობა: 9.9 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
USF371-20.0M-0.01%-5PPM

USF371-20.0M-0.01%-5PPM

ნაწილი საფონდო: 1837

წინააღმდეგობა: 20 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
USF370-9.99M-0.01%-5PPM

USF370-9.99M-0.01%-5PPM

ნაწილი საფონდო: 1815

წინააღმდეგობა: 9.99 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
USF371-25.0M-0.1%-5PPM

USF371-25.0M-0.1%-5PPM

ნაწილი საფონდო: 2680

წინააღმდეგობა: 25 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
USF371-20.0M-0.1%-5PPM

USF371-20.0M-0.1%-5PPM

ნაწილი საფონდო: 2727

წინააღმდეგობა: 20 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
USF370-5.00M-0.1%-5PPM

USF370-5.00M-0.1%-5PPM

ნაწილი საფონდო: 2979

წინააღმდეგობა: 5 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
USF370-10.0M-0.1%-5PPM

USF370-10.0M-0.1%-5PPM

ნაწილი საფონდო: 2948

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
USF370-9.90M-0.1%-5PPM

USF370-9.90M-0.1%-5PPM

ნაწილი საფონდო: 3021

წინააღმდეგობა: 9.9 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
USF340-2.00M-0.01%-5PPM

USF340-2.00M-0.01%-5PPM

ნაწილი საფონდო: 3084

წინააღმდეგობა: 2 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
USF340-1.00M-0.01%-5PPM

USF340-1.00M-0.01%-5PPM

ნაწილი საფონდო: 3107

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
USF340-5.00M-0.01%-5PPM

USF340-5.00M-0.01%-5PPM

ნაწილი საფონდო: 3087

წინააღმდეგობა: 5 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
USF370-9.99M-0.1%-5PPM

USF370-9.99M-0.1%-5PPM

ნაწილი საფონდო: 3974

წინააღმდეგობა: 9.99 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
USF370-2.00M-0.1%-5PPM

USF370-2.00M-0.1%-5PPM

ნაწილი საფონდო: 4262

წინააღმდეგობა: 2 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.75W, 3/4W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
USF340-100K-0.01%-5PPM

USF340-100K-0.01%-5PPM

ნაწილი საფონდო: 4313

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
USF340-500K-0.01%-5PPM

USF340-500K-0.01%-5PPM

ნაწილი საფონდო: 4269

წინააღმდეგობა: 500 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
USF340-200K-0.01%-5PPM

USF340-200K-0.01%-5PPM

ნაწილი საფონდო: 4299

წინააღმდეგობა: 200 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.01%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
USF340-10.0M-0.1%-5PPM

USF340-10.0M-0.1%-5PPM

ნაწილი საფონდო: 4602

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
USF340-20.0M-0.1%-5PPM

USF340-20.0M-0.1%-5PPM

ნაწილი საფონდო: 4641

წინააღმდეგობა: 20 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.333W, 1/3W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
MP9100-0.50-1%

MP9100-0.50-1%

ნაწილი საფონდო: 5078

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -20/ +80ppm/°C,

სასურველი
MP9100-0.050-1%

MP9100-0.050-1%

ნაწილი საფონდო: 4854

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +200ppm/°C,

სასურველი
MP9100-0.10-1%

MP9100-0.10-1%

ნაწილი საფონდო: 5071

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +200ppm/°C,

სასურველი
MP9100-0.20-1%

MP9100-0.20-1%

ნაწილი საფონდო: 5058

წინააღმდეგობა: 200 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +200ppm/°C,

სასურველი
MP9100-0.075-1%

MP9100-0.075-1%

ნაწილი საფონდო: 5306

წინააღმდეგობა: 75 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +200ppm/°C,

სასურველი
MP9100-0.25-1%

MP9100-0.25-1%

ნაწილი საფონდო: 5601

წინააღმდეგობა: 250 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +200ppm/°C,

სასურველი
MP9100-0.30-1%

MP9100-0.30-1%

ნაწილი საფონდო: 5576

წინააღმდეგობა: 300 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +200ppm/°C,

სასურველი
MP9100-0.33-1%

MP9100-0.33-1%

ნაწილი საფონდო: 5594

წინააღმდეგობა: 330 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 0/ +200ppm/°C,

სასურველი
MP9100-1.00-1%

MP9100-1.00-1%

ნაწილი საფონდო: 5460

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -20/ +80ppm/°C,

სასურველი
MP9100-2.00-1%

MP9100-2.00-1%

ნაწილი საფონდო: 5518

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -20/ +80ppm/°C,

სასურველი
MP9100-2.50-1%

MP9100-2.50-1%

ნაწილი საფონდო: 5470

წინააღმდეგობა: 2.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -20/ +80ppm/°C,

სასურველი
MP9100-3.00-1%

MP9100-3.00-1%

ნაწილი საფონდო: 5508

წინააღმდეგობა: 3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -20/ +80ppm/°C,

სასურველი
MP9100-5.00-1%

MP9100-5.00-1%

ნაწილი საფონდო: 5499

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -20/ +80ppm/°C,

სასურველი
MP9100-1.50-1%

MP9100-1.50-1%

ნაწილი საფონდო: 5490

წინააღმდეგობა: 1.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, Non-Inductive, ტემპერატურის კოეფიციენტი: -20/ +80ppm/°C,

სასურველი