ფიქსირებული ინდუქტორები

SCRH5D28R-120

SCRH5D28R-120

ნაწილი საფონდო: 166445

ინდუქცია: 12µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.18A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.2A,

სასურველი
SCRH125-181

SCRH125-181

ნაწილი საფონდო: 158997

ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.44A, მიმდინარე - სატურაცია: 900mA,

სასურველი
SCMD4D12-100

SCMD4D12-100

ნაწილი საფონდო: 165005

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 780mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.1A,

სასურველი
SCMD4D08-100

SCMD4D08-100

ნაწილი საფონდო: 165037

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 620mA, მიმდინარე - სატურაცია: 620mA,

სასურველი
SCIHP1040-8R2M

SCIHP1040-8R2M

ნაწილი საფონდო: 164648

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 7A, მიმდინარე - სატურაცია: 10A,

სასურველი
SCRH125-820

SCRH125-820

ნაწილი საფონდო: 159004

ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.8A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.4A,

სასურველი
SCRH124-820

SCRH124-820

ნაწილი საფონდო: 158994

ინდუქცია: 82µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.44A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.3A,

სასურველი
SCRH124-151

SCRH124-151

ნაწილი საფონდო: 158996

ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.16A, მიმდინარე - სატურაცია: 950mA,

სასურველი
SC32B-331

SC32B-331

ნაწილი საფონდო: 166437

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA, მიმდინარე - სატურაცია: 125mA,

სასურველი
SCRH5D28R-150

SCRH5D28R-150

ნაწილი საფონდო: 166514

ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.96A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.1A,

სასურველი
SCMD4D08-6R8

SCMD4D08-6R8

ნაწილი საფონდო: 165032

ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 760mA, მიმდინარე - სატურაცია: 760mA,

სასურველი
SCRH5D28R-180

SCRH5D28R-180

ნაწილი საფონდო: 166421

ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.76A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.05A,

სასურველი
SCMD4D10-470

SCMD4D10-470

ნაწილი საფონდო: 165003

ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA, მიმდინარე - სატურაცია: 400mA,

სასურველი
SCRH5D28R-4R0

SCRH5D28R-4R0

ნაწილი საფონდო: 166442

ინდუქცია: 4µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.96A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.1A,

სასურველი
SCMD4D10-100

SCMD4D10-100

ნაწილი საფონდო: 164990

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 640mA, მიმდინარე - სატურაცია: 820mA,

სასურველი
SCMD4D12-6R8

SCMD4D12-6R8

ნაწილი საფონდო: 165062

ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.12A,

სასურველი
SCRH8D43-100

SCRH8D43-100

ნაწილი საფონდო: 164631

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 3.6A,

სასურველი
SC32B-181

SC32B-181

ნაწილი საფონდო: 166502

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 230mA, მიმდინარე - სატურაცია: 165mA,

სასურველი
SCRH125-151

SCRH125-151

ნაწილი საფონდო: 158999

ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.52A, მიმდინარე - სატურაცია: 1A,

სასურველი
SC32B-180

SC32B-180

ნაწილი საფონდო: 166515

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 18µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA, მიმდინარე - სატურაცია: 525mA,

სასურველი
SCRH5D28R-100

SCRH5D28R-100

ნაწილი საფონდო: 166478

ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.43A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.3A,

სასურველი
SCRH124-270

SCRH124-270

ნაწილი საფონდო: 158958

ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.7A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.8A,

სასურველი
SCMD4D10-3R3

SCMD4D10-3R3

ნაწილი საფონდო: 164992

ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.16A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.37A,

სასურველი
SCRH123-391

SCRH123-391

ნაწილი საფონდო: 164639

ინდუქცია: 390µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA, მიმდინარე - სატურაცია: 800mA,

სასურველი
SCRH123-3R3

SCRH123-3R3

ნაწილი საფონდო: 164612

ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 6A, მიმდინარე - სატურაცია: 9.3A,

სასურველი
SCRH125-220

SCRH125-220

ნაწილი საფონდო: 159038

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 4A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.8A,

სასურველი
SCRH123-120

SCRH123-120

ნაწილი საფონდო: 164621

ინდუქცია: 12µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.97A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.9A,

სასურველი
SCIH1040HC-R36M

SCIH1040HC-R36M

ნაწილი საფონდო: 191

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 360nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 30A, მიმდინარე - სატურაცია: 48A,

სასურველი
SCRH124-221

SCRH124-221

ნაწილი საფონდო: 158981

ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 950mA, მიმდინარე - სატურაცია: 800mA,

სასურველი
SCRH125-471

SCRH125-471

ნაწილი საფონდო: 159014

ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 830mA, მიმდინარე - სატურაცია: 580mA,

სასურველი
SCRH125-390

SCRH125-390

ნაწილი საფონდო: 159026

ინდუქცია: 39µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.76A, მიმდინარე - სატურაცია: 2A,

სასურველი
SCRH8D43-220

SCRH8D43-220

ნაწილი საფონდო: 164600

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.1A,

სასურველი
SCRH8D43-101

SCRH8D43-101

ნაწილი საფონდო: 164660

ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA, მიმდინარე - სატურაცია: 900mA,

სასურველი
SCIH1040HC-R30M

SCIH1040HC-R30M

ნაწილი საფონდო: 191

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 300nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 31A, მიმდინარე - სატურაცია: 50A,

სასურველი
SCIH1040HC-R82M

SCIH1040HC-R82M

ნაწილი საფონდო: 195

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 22A, მიმდინარე - სატურაცია: 30A,

სასურველი
SC32B-391

SC32B-391

ნაწილი საფონდო: 166497

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 390µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 170mA, მიმდინარე - სატურაცია: 115mA,

სასურველი