ფიქსირებული ინდუქტორები

SCRH127-470

SCRH127-470

ნაწილი საფონდო: 153149

ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.62A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.5A,

სასურველი
SCRH125-331

SCRH125-331

ნაწილი საფონდო: 158996

ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.04A, მიმდინარე - სატურაცია: 680mA,

სასურველი
SCRH123-1R5

SCRH123-1R5

ნაწილი საფონდო: 164648

ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 8A, მიმდინარე - სატურაცია: 12A,

სასურველი
SC3316FH-1R5

SC3316FH-1R5

ნაწილი საფონდო: 165182

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 8.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 9A,

სასურველი
SCRH123-181

SCRH123-181

ნაწილი საფონდო: 164649

ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 760mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.2A,

სასურველი
SCRH125-270

SCRH125-270

ნაწილი საფონდო: 159017

ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.24A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.3A,

სასურველი
SC32B-470

SC32B-470

ნაწილი საფონდო: 166484

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA, მიმდინარე - სატურაცია: 330mA,

სასურველი
SCRH5D28R-2R5

SCRH5D28R-2R5

ნაწილი საფონდო: 166421

ინდუქცია: 2.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.6A,

სასურველი
SCRH125-121

SCRH125-121

ნაწილი საფონდო: 158969

ინდუქცია: 120µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.1A,

სასურველი
SC32B-151

SC32B-151

ნაწილი საფონდო: 166512

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA, მიმდინარე - სატურაცია: 170mA,

სასურველი
SCRH125-561

SCRH125-561

ნაწილი საფონდო: 158972

ინდუქცია: 560µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 740mA, მიმდინარე - სატურაცია: 540mA,

სასურველი
SCRH123-2R2

SCRH123-2R2

ნაწილი საფონდო: 164603

ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 7.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 10A,

სასურველი
SC3316FH-2R2

SC3316FH-2R2

ნაწილი საფონდო: 165167

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 7.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 7.8A,

სასურველი
SCRH5D28R-3R3

SCRH5D28R-3R3

ნაწილი საფონდო: 166435

ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.18A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.3A,

სასურველი
SCRH125-470

SCRH125-470

ნაწილი საფონდო: 158984

ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.48A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.8A,

სასურველი
SCRH125-102

SCRH125-102

ნაწილი საფონდო: 158954

ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 530mA, მიმდინარე - სატურაცია: 400mA,

სასურველი
SCRH123-8R2

SCRH123-8R2

ნაწილი საფონდო: 164645

ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.13A, მიმდინარე - სატურაცია: 5.8A,

სასურველი
SCIHP1040-3R3M

SCIHP1040-3R3M

ნაწილი საფონდო: 164586

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 11A, მიმდინარე - სატურაცია: 16A,

სასურველი
SCRH127-471

SCRH127-471

ნაწილი საფონდო: 153148

ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 920mA, მიმდინარე - სატურაცია: 790mA,

სასურველი
SCRH125-271

SCRH125-271

ნაწილი საფონდო: 158979

ინდუქცია: 270µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.16A, მიმდინარე - სატურაცია: 750mA,

სასურველი
SC32B-270

SC32B-270

ნაწილი საფონდო: 166437

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 27µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 680mA, მიმდინარე - სატურაცია: 405mA,

სასურველი
SC32B-220

SC32B-220

ნაწილი საფონდო: 166513

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 740mA, მიმდინარე - სატურაცია: 500mA,

სასურველი
SCIHP1040-2R2M

SCIHP1040-2R2M

ნაწილი საფონდო: 164587

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 13A, მიმდინარე - სატურაცია: 19A,

სასურველი
SCIHP1040-6R8M

SCIHP1040-6R8M

ნაწილი საფონდო: 164618

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 7.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 11A,

სასურველი
SCIHP1040-5R6M

SCIHP1040-5R6M

ნაწილი საფონდო: 164635

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 5.6µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 8A, მიმდინარე - სატურაცია: 12A,

სასურველი
SCRH124-8R2

SCRH124-8R2

ნაწილი საფონდო: 158956

ინდუქცია: 8.2µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 4.4A, მიმდინარე - სატურაცია: 4.6A,

სასურველი
SCRH125-330

SCRH125-330

ნაწილი საფონდო: 159006

ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.07A, მიმდინარე - სატურაცია: 2.1A,

სასურველი
SCMD4D12-470

SCMD4D12-470

ნაწილი საფონდო: 165072

ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 330mA, მიმდინარე - სატურაცია: 450mA,

სასურველი
SCRH8D43-680

SCRH8D43-680

ნაწილი საფონდო: 164605

ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.2A,

სასურველი
SC3316C-101

SC3316C-101

ნაწილი საფონდო: 164738

ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 610mA, მიმდინარე - სატურაცია: 800mA,

სასურველი
SCMD4D12-330

SCMD4D12-330

ნაწილი საფონდო: 165070

ინდუქცია: 33µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA, მიმდინარე - სატურაცია: 550mA,

სასურველი
SCRH124-181

SCRH124-181

ნაწილი საფონდო: 158963

ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.05A, მიმდინარე - სატურაცია: 850mA,

სასურველი
SCRH125-680

SCRH125-680

ნაწილი საფონდო: 158962

ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 2A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.5A,

სასურველი
SCMD4D10-6R8

SCMD4D10-6R8

ნაწილი საფონდო: 165004

ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.1A,

სასურველი
SC3316C-220

SC3316C-220

ნაწილი საფონდო: 164723

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.49A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.6A,

სასურველი
SCMD4D12-220

SCMD4D12-220

ნაწილი საფონდო: 165051

ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA, მიმდინარე - სატურაცია: 670mA,

სასურველი