შასის მთის წინააღმდეგობები

AHP50AJB-2K2

AHP50AJB-2K2

ნაწილი საფონდო: 5884

წინააღმდეგობა: 2.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-3R

AHP50AJB-3R

ნაწილი საფონდო: 5870

წინააღმდეგობა: 3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-5K1

AHP50AJB-5K1

ნაწილი საფონდო: 5846

წინააღმდეგობა: 5.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-110R

AHP50AJB-110R

ნაწილი საფონდო: 5880

წინააღმდეგობა: 110 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-8R2

AHP50AJB-8R2

ნაწილი საფონდო: 5886

წინააღმდეგობა: 8.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-75R

AHP50AJB-75R

ნაწილი საფონდო: 5815

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-9R1

AHP50AJB-9R1

ნაწილი საფონდო: 5868

წინააღმდეგობა: 9.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-0R56

AHP50AJB-0R56

ნაწილი საფონდო: 5825

წინააღმდეგობა: 560 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-150R

AHP50AJB-150R

ნაწილი საფონდო: 5853

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-8K2

AHP50AJB-8K2

ნაწილი საფონდო: 5852

წინააღმდეგობა: 8.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-820R

AHP50AJB-820R

ნაწილი საფონდო: 5799

წინააღმდეგობა: 820 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-2R7

AHP50AJB-2R7

ნაწილი საფონდო: 5794

წინააღმდეგობა: 2.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-160R

AHP50AJB-160R

ნაწილი საფონდო: 5870

წინააღმდეგობა: 160 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-43R

AHP50AJB-43R

ნაწილი საფონდო: 5795

წინააღმდეგობა: 43 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-0R18

AHP50AJB-0R18

ნაწილი საფონდო: 3640

წინააღმდეგობა: 180 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-1K

AHP50AJB-1K

ნაწილი საფონდო: 3583

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-11R

AHP50AJB-11R

ნაწილი საფონდო: 5868

წინააღმდეგობა: 11 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-0R91

AHP50AJB-0R91

ნაწილი საფონდო: 5811

წინააღმდეგობა: 910 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-270R

AHP50AJB-270R

ნაწილი საფონდო: 5855

წინააღმდეგობა: 270 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-0R82

AHP50AJB-0R82

ნაწილი საფონდო: 5827

წინააღმდეგობა: 820 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-1R2

AHP50AJB-1R2

ნაწილი საფონდო: 5847

წინააღმდეგობა: 1.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-47R

AHP50AJB-47R

ნაწილი საფონდო: 5861

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-10K

AHP50AJB-10K

ნაწილი საფონდო: 5865

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-1R5

AHP50AJB-1R5

ნაწილი საფონდო: 5839

წინააღმდეგობა: 1.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-240R

AHP50AJB-240R

ნაწილი საფონდო: 5833

წინააღმდეგობა: 240 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-20R

AHP50AJB-20R

ნაწილი საფონდო: 5817

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-360R

AHP50AJB-360R

ნაწილი საფონდო: 5790

წინააღმდეგობა: 360 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-0R33

AHP50AJB-0R33

ნაწილი საფონდო: 5819

წინააღმდეგობა: 330 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-6R8

AHP50AJB-6R8

ნაწილი საფონდო: 5873

წინააღმდეგობა: 6.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-51R

AHP50AJB-51R

ნაწილი საფონდო: 5863

წინააღმდეგობა: 51 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-3K3

AHP50AJB-3K3

ნაწილი საფონდო: 5788

წინააღმდეგობა: 3.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-470R

AHP50AJB-470R

ნაწილი საფონდო: 5818

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-0R12

AHP50AJB-0R12

ნაწილი საფონდო: 3647

წინააღმდეგობა: 120 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-560R

AHP50AJB-560R

ნაწილი საფონდო: 3629

წინააღმდეგობა: 560 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-1R

AHP50AJB-1R

ნაწილი საფონდო: 5820

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHP50AJB-0R47

AHP50AJB-0R47

ნაწილი საფონდო: 5849

წინააღმდეგობა: 470 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი