შასის მთის წინააღმდეგობები

AHA80AFB-0R56

AHA80AFB-0R56

ნაწილი საფონდო: 6389

წინააღმდეგობა: 560 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-2K43

AHA80AFB-2K43

ნაწილი საფონდო: 6323

წინააღმდეგობა: 2.43 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-11R8

AHA80AFB-11R8

ნაწილი საფონდო: 6414

წინააღმდეგობა: 11.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-22R1

AHA80AFB-22R1

ნაწილი საფონდო: 6378

წინააღმდეგობა: 22.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-590R

AHA80AFB-590R

ნაწილი საფონდო: 6366

წინააღმდეგობა: 590 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-1R33

AHA80AFB-1R33

ნაწილი საფონდო: 6410

წინააღმდეგობა: 1.33 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-9R53

AHA80AFB-9R53

ნაწილი საფონდო: 6356

წინააღმდეგობა: 9.53 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-1K21

AHA80AFB-1K21

ნაწილი საფონდო: 6380

წინააღმდეგობა: 1.21 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-1R15

AHA80AFB-1R15

ნაწილი საფონდო: 6347

წინააღმდეგობა: 1.15 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-105R

AHA80AFB-105R

ნაწილი საფონდო: 6359

წინააღმდეგობა: 105 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-15R4

AHA80AFB-15R4

ნაწილი საფონდო: 6391

წინააღმდეგობა: 15.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-69R8

AHA80AFB-69R8

ნაწილი საფონდო: 6322

წინააღმდეგობა: 69.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-158R

AHA80AFB-158R

ნაწილი საფონდო: 6406

წინააღმდეგობა: 158 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-6K98

AHA80AFB-6K98

ნაწილი საფონდო: 6368

წინააღმდეგობა: 6.98 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-11R

AHA80AFB-11R

ნაწილი საფონდო: 6406

წინააღმდეგობა: 11 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-931R

AHA80AFB-931R

ნაწილი საფონდო: 2454

წინააღმდეგობა: 931 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-866R

AHA80AFB-866R

ნაწილი საფონდო: 6361

წინააღმდეგობა: 866 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-232R

AHA80AFB-232R

ნაწილი საფონდო: 6378

წინააღმდეგობა: 232 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-2R74

AHA80AFB-2R74

ნაწილი საფონდო: 3706

წინააღმდეგობა: 2.74 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-23R2

AHA80AFB-23R2

ნაწილი საფონდო: 6368

წინააღმდეგობა: 23.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-9R09

AHA80AFB-9R09

ნაწილი საფონდო: 6392

წინააღმდეგობა: 9.09 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-174R

AHA80AFB-174R

ნაწილი საფონდო: 3657

წინააღმდეგობა: 174 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-165R

AHA80AFB-165R

ნაწილი საფონდო: 6373

წინააღმდეგობა: 165 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-22R

AHA80AFB-22R

ნაწილი საფონდო: 11174

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-39R

AHA80AFB-39R

ნაწილი საფონდო: 11168

წინააღმდეგობა: 39 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-27R

AHA80AFB-27R

ნაწილი საფონდო: 11183

წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-56R

AHA80AFB-56R

ნაწილი საფონდო: 11171

წინააღმდეგობა: 56 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-33R

AHA80AFB-33R

ნაწილი საფონდო: 11110

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-91R

AHA80AFB-91R

ნაწილი საფონდო: 11186

წინააღმდეგობა: 91 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-18R

AHA80AFB-18R

ნაწილი საფონდო: 11166

წინააღმდეგობა: 18 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-12R

AHA80AFB-12R

ნაწილი საფონდო: 11110

წინააღმდეგობა: 12 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-47R

AHA80AFB-47R

ნაწილი საფონდო: 11152

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-100R

AHA80AFB-100R

ნაწილი საფონდო: 11158

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-15R

AHA80AFB-15R

ნაწილი საფონდო: 11127

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-75R

AHA80AFB-75R

ნაწილი საფონდო: 11111

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
AHA80AFB-10R

AHA80AFB-10R

ნაწილი საფონდო: 11123

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი