დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი

CPW2-1200-S010B-FR1

ნაწილი საფონდო: 9531

CPW2-1200-S010BP

ნაწილი საფონდო: 5043

CPW2-1200-S005B-FR1

ნაწილი საფონდო: 9533

C3D03060E

ნაწილი საფონდო: 50240

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 11A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 3A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

CPW2-1200-S005B

ნაწილი საფონდო: 9536

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 17.5A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 5A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

C4D10120E

ნაწილი საფონდო: 6526

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 33A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 10A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

C3D06060F

ნაწილი საფონდო: 25319

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 7.5A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 6A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

C4D02120E

ნაწილი საფონდო: 51855

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 2A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

CSD01060E

ნაწილი საფონდო: 71851

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 1A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

C3D06060A

ნაწილი საფონდო: 25267

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 19A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 6A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

C4D05120E

ნაწილი საფონდო: 13087

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 19A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 5A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

CSD01060E-TR

ნაწილი საფონდო: 114503

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 1A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

C3D10060G

ნაწილი საფონდო: 15193

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 29A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 10A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

C4D02120A

ნაწილი საფონდო: 32495

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 2A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

C3D04060E

ნაწილი საფონდო: 37785

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 13.5A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 4A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

C3D1P7060Q

ნაწილი საფონდო: 167440

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 9.7A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 1.7A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,