რეზისტორული ქსელები, მასივები

CSC08A01100KGEK

CSC08A01100KGEK

ნაწილი საფონდო: 125189

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC08A03120RGEK

CSC08A03120RGEK

ნაწილი საფონდო: 103257

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC04A03560RGEK

CSC04A03560RGEK

ნაწილი საფონდო: 199272

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 2, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC10A01330RGEK

CSC10A01330RGEK

ნაწილი საფონდო: 141938

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 9, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC08A0375R0GEK

CSC08A0375R0GEK

ნაწილი საფონდო: 115228

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 75, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC08A032K00GEK

CSC08A032K00GEK

ნაწილი საფონდო: 165368

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC10A01120RGEK

CSC10A01120RGEK

ნაწილი საფონდო: 147185

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 120, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 9, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
SOMC1603470RGEA

SOMC1603470RGEA

ნაწილი საფონდო: 190360

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
CRASN51K0F1K02TA

CRASN51K0F1K02TA

ნაწილი საფონდო: 129722

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.02k, 51k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CSC06A0310K0GEJ

CSC06A0310K0GEJ

ნაწილი საფონდო: 138708

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC06A03100KGEK

CSC06A03100KGEK

ნაწილი საფონდო: 192828

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC09A0133K0GEK

CSC09A0133K0GEK

ნაწილი საფონდო: 164953

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
SOMC16012K70GEA

SOMC16012K70GEA

ნაწილი საფონდო: 190315

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
CSC08A0315K0GEK

CSC08A0315K0GEK

ნაწილი საფონდო: 137504

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC08A03100KGEK

CSC08A03100KGEK

ნაწილი საფონდო: 150148

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC06A0333K0GEK

CSC06A0333K0GEK

ნაწილი საფონდო: 134388

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC10A031K40FEK

CSC10A031K40FEK

ნაწილი საფონდო: 128656

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.4k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
SOMC1603220RGEA

SOMC1603220RGEA

ნაწილი საფონდო: 190331

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
CSC10A01470RGEK

CSC10A01470RGEK

ნაწილი საფონდო: 109319

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 9, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC08A03300RGEK

CSC08A03300RGEK

ნაწილი საფონდო: 131267

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 300, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC08A03249RFEK

CSC08A03249RFEK

ნაწილი საფონდო: 135747

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 249, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC09A0122K0GEK

CSC09A0122K0GEK

ნაწილი საფონდო: 120125

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC10A011K20GEK

CSC10A011K20GEK

ნაწილი საფონდო: 123491

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 9, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CRASN20K0F1K00TA

CRASN20K0F1K00TA

ნაწილი საფონდო: 104078

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, 20k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CSC10A0120K0GEK

CSC10A0120K0GEK

ნაწილი საფონდო: 141125

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 9, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
SOMC160120K0GEA

SOMC160120K0GEA

ნაწილი საფონდო: 190318

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
CSC10A034K70GEK

CSC10A034K70GEK

ნაწილი საფონდო: 132160

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC08A0333R0GEK

CSC08A0333R0GEK

ნაწილი საფონდო: 168882

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CRASN49K9F1K02TA

CRASN49K9F1K02TA

ნაწილი საფონდო: 118422

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.02k, 49.9k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
SOMC16012K00GEA

SOMC16012K00GEA

ნაწილი საფონდო: 190366

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
SOMC1403200RFEA

SOMC1403200RFEA

ნაწილი საფონდო: 198594

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 200, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
SOMC16013K30GEA

SOMC16013K30GEA

ნაწილი საფონდო: 190314

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
SOMC14034K70GEA

SOMC14034K70GEA

ნაწილი საფონდო: 190336

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
CSC08A031K20GEK

CSC08A031K20GEK

ნაწილი საფონდო: 165606

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC10A031K00GEK

CSC10A031K00GEK

ნაწილი საფონდო: 158294

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC08A031K50GEK

CSC08A031K50GEK

ნაწილი საფონდო: 127801

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი