რეზისტორული ქსელები, მასივები

CSC10A0133K0GPA

CSC10A0133K0GPA

ნაწილი საფონდო: 101118

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 9, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
SOMC160127K0GEA

SOMC160127K0GEA

ნაწილი საფონდო: 190315

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 27k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
CSC08B031K00GPA

CSC08B031K00GPA

ნაწილი საფონდო: 148449

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC08A0356K0GPA

CSC08A0356K0GPA

ნაწილი საფონდო: 159039

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC06A01470KGPA

CSC06A01470KGPA

ნაწილი საფონდო: 139554

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 470k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC06A014K70GPA

CSC06A014K70GPA

ნაწილი საფონდო: 122183

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC08A03470RGPA

CSC08A03470RGPA

ნაწილი საფონდო: 168217

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC09A013K90GPA

CSC09A013K90GPA

ნაწილი საფონდო: 102214

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
SOMC160110K0JEA

SOMC160110K0JEA

ნაწილი საფონდო: 190379

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
CSC12B03100RGPA

CSC12B03100RGPA

ნაწილი საფონდო: 120433

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 6, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC06A01330RGPA

CSC06A01330RGPA

ნაწილი საფონდო: 169728

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC07A01100KGPA

CSC07A01100KGPA

ნაწილი საფონდო: 138109

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 6, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC06A01150RGPA

CSC06A01150RGPA

ნაწილი საფონდო: 119873

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
SOMC1401680RGEA

SOMC1401680RGEA

ნაწილი საფონდო: 190303

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 680, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 13,

სასურველი
CSC06A031K00GEK

CSC06A031K00GEK

ნაწილი საფონდო: 130836

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC05A014K70GPA

CSC05A014K70GPA

ნაწილი საფონდო: 176579

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC10A03100KGPA

CSC10A03100KGPA

ნაწილი საფონდო: 149139

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
SOMC200120K0GEA

SOMC200120K0GEA

ნაწილი საფონდო: 160495

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 19,

სასურველი
CSC10A0112K0GPA

CSC10A0112K0GPA

ნაწილი საფონდო: 118604

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 12k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 9, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
SOMC1603220RJEA

SOMC1603220RJEA

ნაწილი საფონდო: 190378

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
CSC06A032K00GPA

CSC06A032K00GPA

ნაწილი საფონდო: 121782

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
SOMC16031K00GEA

SOMC16031K00GEA

ნაწილი საფონდო: 190304

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
CSC06A01470RGPA

CSC06A01470RGPA

ნაწილი საფონდო: 187034

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC08A03150KGEK

CSC08A03150KGEK

ნაწილი საფონდო: 176697

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC10A032K20GEK

CSC10A032K20GEK

ნაწილი საფონდო: 102374

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC08A03820RGEK

CSC08A03820RGEK

ნაწილი საფონდო: 163124

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 820, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC10A015K60GEK

CSC10A015K60GEK

ნაწილი საფონდო: 157006

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 5.6k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 9, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC09A01220KGEK

CSC09A01220KGEK

ნაწილი საფონდო: 160673

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 220k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC10A013K90GEK

CSC10A013K90GEK

ნაწილი საფონდო: 125542

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 9, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC10A01510RGEK

CSC10A01510RGEK

ნაწილი საფონდო: 110864

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 510, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 9, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
SOMC1403180RGEA

SOMC1403180RGEA

ნაწილი საფონდო: 190383

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 180, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
CRASN20K0F2K21TA

CRASN20K0F2K21TA

ნაწილი საფონდო: 149098

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.21k, 20k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
CSC08A012K00GEK

CSC08A012K00GEK

ნაწილი საფონდო: 166935

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC06A032K20GEK

CSC06A032K20GEK

ნაწილი საფონდო: 181616

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC10A0147K0GEK

CSC10A0147K0GEK

ნაწილი საფონდო: 110526

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 9, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC08A0347K0GEK

CSC08A0347K0GEK

ნაწილი საფონდო: 186962

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი