სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 5.1k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 9, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 820, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 9, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 9, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 8, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 180, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 13,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 15k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 13,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 120, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 680, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 9, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,
სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 80, 210, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 24,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 82k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,
სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,
სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,
