რეზისტორული ქსელები, მასივები

MSP08C031M00GEJ

MSP08C031M00GEJ

ნაწილი საფონდო: 41325

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
MSP08A01470RGEJ

MSP08A01470RGEJ

ნაწილი საფონდო: 46192

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
MSP06A0327K0GEJ

MSP06A0327K0GEJ

ნაწილი საფონდო: 56528

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
MSP06A0311K5FEJ

MSP06A0311K5FEJ

ნაწილი საფონდო: 51218

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 11.5k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 3, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
MSP06A0382K0GEJ

MSP06A0382K0GEJ

ნაწილი საფონდო: 56602

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
MSP06C03220RGEJ

MSP06C03220RGEJ

ნაწილი საფონდო: 45121

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
MSP10C01100KGEJ

MSP10C01100KGEJ

ნაწილი საფონდო: 34225

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 9, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
MSP06A0312R0GEJ

MSP06A0312R0GEJ

ნაწილი საფონდო: 56597

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
MSP06A0347K0GEJ

MSP06A0347K0GEJ

ნაწილი საფონდო: 56582

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
MSP06C0122K0GEJ

MSP06C0122K0GEJ

ნაწილი საფონდო: 45072

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
MSP06A011K50GEJ

MSP06A011K50GEJ

ნაწილი საფონდო: 56560

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
MSP08A0310K0GEJ

MSP08A0310K0GEJ

ნაწილი საფონდო: 46140

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
MSP08C034K70GEJ

MSP08C034K70GEJ

ნაწილი საფონდო: 41325

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
MSP10C034K70GEJ

MSP10C034K70GEJ

ნაწილი საფონდო: 34217

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
MSP10A01470KGEJ

MSP10A01470KGEJ

ნაწილი საფონდო: 43589

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 470k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 9, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
MSP10A01120RGEJ

MSP10A01120RGEJ

ნაწილი საფონდო: 43654

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 120, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 9, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
MDP14033K30GE04

MDP14033K30GE04

ნაწილი საფონდო: 38148

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
MSP06A012K70GEJ

MSP06A012K70GEJ

ნაწილი საფონდო: 56503

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
MSP06A03680RGEJ

MSP06A03680RGEJ

ნაწილი საფონდო: 56574

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 3, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
MDP140347R0GE04

MDP140347R0GE04

ნაწილი საფონდო: 21811

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
MORNTA5002QT5

MORNTA5002QT5

ნაწილი საფონდო: 17071

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 50k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1 ppm/°C,

სასურველი
MDP14032K20GE04

MDP14032K20GE04

ნაწილი საფონდო: 38147

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
MSP10A011K50FEJ

MSP10A011K50FEJ

ნაწილი საფონდო: 39804

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 9, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
MDP1603510RGE04

MDP1603510RGE04

ნაწილი საფონდო: 38169

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 510, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MORNTA2001QT5

MORNTA2001QT5

ნაწილი საფონდო: 17052

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±0.05%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორის შესატყვისი თანაფარდობა: ±0.01%, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±1 ppm/°C,

სასურველი
MDP1601270RGE04

MDP1601270RGE04

ნაწილი საფონდო: 38156

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
MSP08A014K70GEJ

MSP08A014K70GEJ

ნაწილი საფონდო: 46125

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
CSC11B0110K0FPA

CSC11B0110K0FPA

ნაწილი საფონდო: 102428

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 10, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
MSP08A0315K0FEJ

MSP08A0315K0FEJ

ნაწილი საფონდო: 42550

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
MDP1401100KGE04

MDP1401100KGE04

ნაწილი საფონდო: 38164

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 13,

სასურველი
MDP140347K0GE04

MDP140347K0GE04

ნაწილი საფონდო: 38201

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
MDP1603100KFE04

MDP1603100KFE04

ნაწილი საფონდო: 34169

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±1%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
MDP140133K0GE04

MDP140133K0GE04

ნაწილი საფონდო: 38158

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 13,

სასურველი
MDP14034K70GE04

MDP14034K70GE04

ნაწილი საფონდო: 38205

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
MSP08A03330RGEJ

MSP08A03330RGEJ

ნაწილი საფონდო: 46157

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 4, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი
MSP10C01470RGEJ

MSP10C01470RGEJ

ნაწილი საფონდო: 34233

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 9, რეზისტორი-თანაფარდობა-დრიფტი: ±50 ppm/°C,

სასურველი