შასის მთის წინააღმდეგობები

RER55F28R0RC02

RER55F28R0RC02

ნაწილი საფონდო: 1555

წინააღმდეგობა: 28 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F2740RCSL

RER55F2740RCSL

ნაწილი საფონდო: 1276

წინააღმდეგობა: 274 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F3901RCSL

RER55F3901RCSL

ნაწილი საფონდო: 1270

წინააღმდეგობა: 3.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F6040RC02

RER55F6040RC02

ნაწილი საფონდო: 1597

წინააღმდეგობა: 604 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F9R53PCSL

RER55F9R53PCSL

ნაწილი საფონდო: 1269

წინააღმდეგობა: 9.53 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F56R2MC02

RER55F56R2MC02

ნაწილი საფონდო: 1581

წინააღმდეგობა: 56.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F2R32RC02

RER55F2R32RC02

ნაწილი საფონდო: 1547

წინააღმდეგობა: 2.32 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F14R0RC02

RER55F14R0RC02

ნაწილი საფონდო: 1611

წინააღმდეგობა: 14 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F3R01RC02

RER55F3R01RC02

ნაწილი საფონდო: 1598

წინააღმდეგობა: 3.01 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F75R0RC02

RER55F75R0RC02

ნაწილი საფონდო: 1595

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F1470PC02

RER55F1470PC02

ნაწილი საფონდო: 1538

წინააღმდეგობა: 147 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F3011RCSL

RER55F3011RCSL

ნაწილი საფონდო: 1274

წინააღმდეგობა: 3.01 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F18R7RCSL

RER55F18R7RCSL

ნაწილი საფონდო: 1351

წინააღმდეგობა: 18.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F1821RC02

RER55F1821RC02

ნაწილი საფონდო: 1577

წინააღმდეგობა: 1.82 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F7R87PCSL

RER55F7R87PCSL

ნაწილი საფონდო: 1314

წინააღმდეგობა: 7.87 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F2870RC02

RER55F2870RC02

ნაწილი საფონდო: 1527

წინააღმდეგობა: 287 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F10R0RC02

RER55F10R0RC02

ნაწილი საფონდო: 1589

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F50R5RC02

RER55F50R5RC02

ნაწილი საფონდო: 1539

წინააღმდეგობა: 50.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F2001RCSL

RER55F2001RCSL

ნაწილი საფონდო: 1368

წინააღმდეგობა: 2 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F19R6RCSL

RER55F19R6RCSL

ნაწილი საფონდო: 1344

წინააღმდეგობა: 19.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F34R8RCSL

RER55F34R8RCSL

ნაწილი საფონდო: 1295

წინააღმდეგობა: 34.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F3320RC02

RER55F3320RC02

ნაწილი საფონდო: 1533

წინააღმდეგობა: 332 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F2R80RCSL

RER55F2R80RCSL

ნაწილი საფონდო: 1297

წინააღმდეგობა: 2.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F1R87MCSL

RER55F1R87MCSL

ნაწილი საფონდო: 1322

წინააღმდეგობა: 1.87 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F23R2MC02

RER55F23R2MC02

ნაწილი საფონდო: 1572

წინააღმდეგობა: 23.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F69R8MC02

RER55F69R8MC02

ნაწილი საფონდო: 1541

წინააღმდეგობა: 69.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F23R7RCSL

RER55F23R7RCSL

ნაწილი საფონდო: 1304

წინააღმდეგობა: 23.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F22R1PCSL

RER55F22R1PCSL

ნაწილი საფონდო: 1327

წინააღმდეგობა: 22.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F36R5RCSL

RER55F36R5RCSL

ნაწილი საფონდო: 1307

წინააღმდეგობა: 36.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F4021RC02

RER55F4021RC02

ნაწილი საფონდო: 1595

წინააღმდეგობა: 4.02 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F15R4RC02

RER55F15R4RC02

ნაწილი საფონდო: 1545

წინააღმდეგობა: 15.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F1R49RC02

RER55F1R49RC02

ნაწილი საფონდო: 1591

წინააღმდეგობა: 1.49 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F10R5RCSL

RER55F10R5RCSL

ნაწილი საფონდო: 1316

წინააღმდეგობა: 10.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F49R9RCSL

RER55F49R9RCSL

ნაწილი საფონდო: 1297

წინააღმდეგობა: 49.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F23R2RC02

RER55F23R2RC02

ნაწილი საფონდო: 1526

წინააღმდეგობა: 23.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F1050RC02

RER55F1050RC02

ნაწილი საფონდო: 1606

წინააღმდეგობა: 105 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი