შასის მთის წინააღმდეგობები

RER55F1430RCSL

RER55F1430RCSL

ნაწილი საფონდო: 1358

წინააღმდეგობა: 143 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F1821RCSL

RER55F1821RCSL

ნაწილი საფონდო: 1296

წინააღმდეგობა: 1.82 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
DVY164MJB19V1

DVY164MJB19V1

ნაწილი საფონდო: 523

წინააღმდეგობა: 164 MOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 60W, კომპოზიცია: Carbon Film,

სასურველი
RER55F59R0RCSL

RER55F59R0RCSL

ნაწილი საფონდო: 1320

წინააღმდეგობა: 59 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F8R66RC02

RER55F8R66RC02

ნაწილი საფონდო: 1540

წინააღმდეგობა: 8.66 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F6R98RCSL

RER55F6R98RCSL

ნაწილი საფონდო: 1341

წინააღმდეგობა: 6.98 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F4990RCSL

RER55F4990RCSL

ნაწილი საფონდო: 1331

წინააღმდეგობა: 499 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F44R2RCSL

RER55F44R2RCSL

ნაწილი საფონდო: 1341

წინააღმდეგობა: 44.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F8250RCSL

RER55F8250RCSL

ნაწილი საფონდო: 1293

წინააღმდეგობა: 825 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F1R37RC02

RER55F1R37RC02

ნაწილი საფონდო: 1553

წინააღმდეგობა: 1.37 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F71R5RCSL

RER55F71R5RCSL

ნაწილი საფონდო: 1278

წინააღმდეგობა: 71.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F16R2MC02

RER55F16R2MC02

ნაწილი საფონდო: 1554

წინააღმდეგობა: 16.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F2R49PC02

RER55F2R49PC02

ნაწილი საფონდო: 1568

წინააღმდეგობა: 2.49 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F8R45RCSL

RER55F8R45RCSL

ნაწილი საფონდო: 1289

წინააღმდეგობა: 8.45 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F7R50RC02

RER55F7R50RC02

ნაწილი საფონდო: 1592

წინააღმდეგობა: 7.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F3R32RC02

RER55F3R32RC02

ნაწილი საფონდო: 1619

წინააღმდეგობა: 3.32 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F22R6RCSL

RER55F22R6RCSL

ნაწილი საფონდო: 1279

წინააღმდეგობა: 22.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F10R0MCSL

RER55F10R0MCSL

ნაწილი საფონდო: 1277

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F3R16PC02

RER55F3R16PC02

ნაწილი საფონდო: 1556

წინააღმდეგობა: 3.16 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F28R7RC02

RER55F28R7RC02

ნაწილი საფონდო: 1552

წინააღმდეგობა: 28.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F3090RCSL

RER55F3090RCSL

ნაწილი საფონდო: 1337

წინააღმდეგობა: 309 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F13R0RC02

RER55F13R0RC02

ნაწილი საფონდო: 1533

წინააღმდეგობა: 13 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F12R7RC02

RER55F12R7RC02

ნაწილი საფონდო: 1566

წინააღმდეგობა: 12.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F15R4PC02

RER55F15R4PC02

ნაწილი საფონდო: 1587

წინააღმდეგობა: 15.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F34R0RCSL

RER55F34R0RCSL

ნაწილი საფონდო: 1308

წინააღმდეგობა: 34 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F8R06MCSL

RER55F8R06MCSL

ნაწილი საფონდო: 1321

წინააღმდეგობა: 8.06 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F97R6RCSL

RER55F97R6RCSL

ნაწილი საფონდო: 1329

წინააღმდეგობა: 97.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F23R2RCSL

RER55F23R2RCSL

ნაწილი საფონდო: 1331

წინააღმდეგობა: 23.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F64R9RCSL

RER55F64R9RCSL

ნაწილი საფონდო: 1363

წინააღმდეგობა: 64.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F4991RCSL

RER55F4991RCSL

ნაწილი საფონდო: 1343

წინააღმდეგობა: 4.99 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F5110PCSL

RER55F5110PCSL

ნაწილი საფონდო: 1349

წინააღმდეგობა: 511 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F1741RCSL

RER55F1741RCSL

ნაწილი საფონდო: 1271

წინააღმდეგობა: 1.74 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F2R49PCSL

RER55F2R49PCSL

ნაწილი საფონდო: 1305

წინააღმდეგობა: 2.49 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F22R1PC02

RER55F22R1PC02

ნაწილი საფონდო: 1559

წინააღმდეგობა: 22.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RH10015R00FJ01

RH10015R00FJ01

ნაწილი საფონდო: 789

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
RER55F43R2RCSL

RER55F43R2RCSL

ნაწილი საფონდო: 1332

წინააღმდეგობა: 43.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი