ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

TNPW2512402RFETG

TNPW2512402RFETG

ნაწილი საფონდო: 10057

წინააღმდეგობა: 402 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512499KFETG

TNPW2512499KFETG

ნაწილი საფონდო: 10010

წინააღმდეგობა: 499 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW201051R1DHTF

TNPW201051R1DHTF

ნაწილი საფონდო: 10008

წინააღმდეგობა: 51.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TNPW20101K50FETF

TNPW20101K50FETF

ნაწილი საფონდო: 9946

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW25121M00FHTG

TNPW25121M00FHTG

ნაწილი საფონდო: 10043

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512750KFHEG

TNPW2512750KFHEG

ნაწილი საფონდო: 10047

წინააღმდეგობა: 750 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TNPW25129K09FHEY

TNPW25129K09FHEY

ნაწილი საფონდო: 10059

წინააღმდეგობა: 9.09 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TNPW251240R2DETG

TNPW251240R2DETG

ნაწილი საფონდო: 2092

წინააღმდეგობა: 40.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW25127M50FEEY

TNPW25127M50FEEY

ნაწილი საფონდო: 10054

წინააღმდეგობა: 7.5 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW25122M00FHEG

TNPW25122M00FHEG

ნაწილი საფონდო: 10048

წინააღმდეგობა: 2 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TNPW2010100KFETF

TNPW2010100KFETF

ნაწილი საფონდო: 9961

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW25123K30FHEY

TNPW25123K30FHEY

ნაწილი საფონდო: 9988

წინააღმდეგობა: 3.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TNPW25121K18FHEG

TNPW25121K18FHEG

ნაწილი საფონდო: 2044

წინააღმდეგობა: 1.18 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TNPW25121M00FETG

TNPW25121M00FETG

ნაწილი საფონდო: 9993

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW25129K09FHEG

TNPW25129K09FHEG

ნაწილი საფონდო: 10022

წინააღმდეგობა: 9.09 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TNPW20102K32FETF

TNPW20102K32FETF

ნაწილი საფონდო: 10012

წინააღმდეგობა: 2.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW201069K8FHEY

TNPW201069K8FHEY

ნაწილი საფონდო: 9982

წინააღმდეგობა: 69.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
CRCW0805511RJNEA

CRCW0805511RJNEA

ნაწილი საფონდო: 9431

წინააღმდეგობა: 511 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
CRCW12102R49FNTA

CRCW12102R49FNTA

ნაწილი საფონდო: 8566

წინააღმდეგობა: 2.49 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
TNPW040210R2BEED

TNPW040210R2BEED

ნაწილი საფონდო: 1909

წინააღმდეგობა: 10.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW201049R9FEEF

TNPW201049R9FEEF

ნაწილი საფონდო: 7317

წინააღმდეგობა: 49.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251230K0FEEG

TNPW251230K0FEEG

ნაწილი საფონდო: 7391

წინააღმდეგობა: 30 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
WSH2818R0200FEA

WSH2818R0200FEA

ნაწილი საფონდო: 7956

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
TNPW2010150KFHEF

TNPW2010150KFHEF

ნაწილი საფონდო: 7304

წინააღმდეგობა: 150 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
WSH2818R1000FEA

WSH2818R1000FEA

ნაწილი საფონდო: 8036

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
WSH2818R0300FEA

WSH2818R0300FEA

ნაწილი საფონდო: 7995

წინააღმდეგობა: 30 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512200RFETG

TNPW2512200RFETG

ნაწილი საფონდო: 1761

წინააღმდეგობა: 200 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
WSH28187L000FEA

WSH28187L000FEA

ნაწილი საფონდო: 7962

წინააღმდეგობა: 7 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
WSH28186L000FEA

WSH28186L000FEA

ნაწილი საფონდო: 7968

წინააღმდეგობა: 6 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
WSH2818R0250FEA

WSH2818R0250FEA

ნაწილი საფონდო: 8028

წინააღმდეგობა: 25 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
WSLP0805R0100FEK18

WSLP0805R0100FEK18

ნაწილი საფონდო: 116240

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Current Sense, Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
WSH28188L000FEA

WSH28188L000FEA

ნაწილი საფონდო: 8007

წინააღმდეგობა: 8 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
TNPW201033R2FHEF

TNPW201033R2FHEF

ნაწილი საფონდო: 7317

წინააღმდეგობა: 33.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
WSH28189L000FEA

WSH28189L000FEA

ნაწილი საფონდო: 8006

წინააღმდეგობა: 9 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
WSLP08057L000JEB18

WSLP08057L000JEB18

ნაწილი საფონდო: 196724

წინააღმდეგობა: 7 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Current Sense, Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
WSH2818R0100FEA

WSH2818R0100FEA

ნაწილი საფონდო: 7947

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Automotive AEC-Q200, Current Sense, Moisture Resistant, Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი