ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

TNPW2010150KFETY

TNPW2010150KFETY

ნაწილი საფონდო: 9968

წინააღმდეგობა: 150 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251249K9DHEG

TNPW251249K9DHEG

ნაწილი საფონდო: 10069

წინააღმდეგობა: 49.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TNPW201066K5FHTF

TNPW201066K5FHTF

ნაწილი საფონდო: 9965

წინააღმდეგობა: 66.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512249KFEEG

TNPW2512249KFEEG

ნაწილი საფონდო: 10039

წინააღმდეგობა: 249 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251249K9FHTY

TNPW251249K9FHTY

ნაწილი საფონდო: 9994

წინააღმდეგობა: 49.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TNPW2010402RFHEY

TNPW2010402RFHEY

ნაწილი საფონდო: 10019

წინააღმდეგობა: 402 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TNPW20106K65DHEY

TNPW20106K65DHEY

ნაწილი საფონდო: 9948

წინააღმდეგობა: 6.65 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512750KFHEY

TNPW2512750KFHEY

ნაწილი საფონდო: 10035

წინააღმდეგობა: 750 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512499KFEEG

TNPW2512499KFEEG

ნაწილი საფონდო: 10026

წინააღმდეგობა: 499 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512100KFHEG

TNPW2512100KFHEG

ნაწილი საფონდო: 2075

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512200KDETG

TNPW2512200KDETG

ნაწილი საფონდო: 10049

წინააღმდეგობა: 200 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251261R9BHEG

TNPW251261R9BHEG

ნაწილი საფონდო: 2073

წინააღმდეგობა: 61.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TNPW25124K30FETG

TNPW25124K30FETG

ნაწილი საფონდო: 10021

წინააღმდეგობა: 4.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512100RBETY

TNPW2512100RBETY

ნაწილი საფონდო: 9939

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512898RBEEG

TNPW2512898RBEEG

ნაწილი საფონდო: 10074

წინააღმდეგობა: 898 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251280R6BHTG

TNPW251280R6BHTG

ნაწილი საფონდო: 10070

წინააღმდეგობა: 80.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
M32159B09MS3

M32159B09MS3

ნაწილი საფონდო: 2067

წინააღმდეგობა: 0 Ohms, ტოლერანტობა: Jumper, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Thick Film, მახასიათებლები: Military,

სასურველი
TNPW2512487RFETG

TNPW2512487RFETG

ნაწილი საფონდო: 10026

წინააღმდეგობა: 487 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251256R2FEEY

TNPW251256R2FEEY

ნაწილი საფონდო: 10066

წინააღმდეგობა: 56.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251269K8FHEG

TNPW251269K8FHEG

ნაწილი საფონდო: 10081

წინააღმდეგობა: 69.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TNPW251297K6FHEG

TNPW251297K6FHEG

ნაწილი საფონდო: 10087

წინააღმდეგობა: 97.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TNPW251280K6FHEY

TNPW251280K6FHEY

ნაწილი საფონდო: 10005

წინააღმდეგობა: 80.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512402RFEEG

TNPW2512402RFEEG

ნაწილი საფონდო: 10048

წინააღმდეგობა: 402 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512100RDEEG

TNPW2512100RDEEG

ნაწილი საფონდო: 9967

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW20103M30DHEY

TNPW20103M30DHEY

ნაწილი საფონდო: 10004

წინააღმდეგობა: 3.3 MOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TNPW25124K30FHTG

TNPW25124K30FHTG

ნაწილი საფონდო: 10069

წინააღმდეგობა: 4.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TNPW201051R0FEEY

TNPW201051R0FEEY

ნაწილი საფონდო: 10017

წინააღმდეგობა: 51 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2010887RDETF

TNPW2010887RDETF

ნაწილი საფონდო: 10026

წინააღმდეგობა: 887 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2512768RFETG

TNPW2512768RFETG

ნაწილი საფონდო: 2071

წინააღმდეგობა: 768 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW251212K4BHEG

TNPW251212K4BHEG

ნაწილი საფონდო: 9971

წინააღმდეგობა: 12.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TNPW251230R0DETG

TNPW251230R0DETG

ნაწილი საფონდო: 9986

წინააღმდეგობა: 30 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW25121M00FHEG

TNPW25121M00FHEG

ნაწილი საფონდო: 10018

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TNPW20101M00FETF

TNPW20101M00FETF

ნაწილი საფონდო: 9972

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW20104M32FEEY

TNPW20104M32FEEY

ნაწილი საფონდო: 9984

წინააღმდეგობა: 4.32 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW201047R0BETY

TNPW201047R0BETY

ნაწილი საფონდო: 9957

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
TNPW2010274RBETY

TNPW2010274RBETY

ნაწილი საფონდო: 9959

წინააღმდეგობა: 274 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.4W, 2/5W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი