ინფრაწითელი, UV, ხილული ემიტერები

CQY36N

ნაწილი საფონდო: 112728

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 0.7mW/sr @ 50mA, ტალღის სიგრძე: 950nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 110°,

VSMY3850-GS08

ნაწილი საფონდო: 194762

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 12mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.6V, Ხედვის კუთხე: 120°,

T8810VC-SA-F

ნაწილი საფონდო: 6199

TSMF1000

ნაწილი საფონდო: 112353

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 2.5mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 34°,

TSHA6203

ნაწილი საფონდო: 122104

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 50mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 875nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2.8V, Ხედვის კუთხე: 24°,

TS8514VA

ნაწილი საფონდო: 1125

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.6V, Ხედვის კუთხე: 120°,

VSML3710-GS08

ნაწილი საფონდო: 142941

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 4mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.35V, Ხედვის კუთხე: 120°,

VSMY2853G

ნაწილი საფონდო: 103159

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 20mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.65V, Ხედვის კუთხე: 56°,

TSML1020

ნაწილი საფონდო: 189265

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 3mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.2V, Ხედვის კუთხე: 24°,

VSMB2948SL

ნაწილი საფონდო: 167446

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 20mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.35V, Ხედვის კუთხე: 50°,

TS8520VA

ნაწილი საფონდო: 1091

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 250mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.8V, Ხედვის კუთხე: 120°,

VSMF4720-GS08

ნაწილი საფონდო: 116879

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 10mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 870nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.45V, Ხედვის კუთხე: 120°,

TS8510VA

ნაწილი საფონდო: 1061

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 70mA, ტალღის სიგრძე: 855nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.42V, Ხედვის კუთხე: 120°,

TSFF5410

ნაწილი საფონდო: 63173

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 45mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 870nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 44°,

TSHF5210

ნაწილი საფონდო: 107707

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 120mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, Ხედვის კუთხე: 20°,

TSKS5400S

ნაწილი საფონდო: 75498

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 2mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 950nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 60°,

VSLB9530S

ნაწილი საფონდო: 1007

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 150mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 60mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.28V, Ხედვის კუთხე: 36°,

TSAL6100

ნაწილი საფონდო: 128567

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 80mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.35V, Ხედვის კუთხე: 20°,

VSMF3710-GS08

ნაწილი საფონდო: 188791

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 6mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, Ხედვის კუთხე: 120°,

TSHF5410

ნაწილი საფონდო: 107692

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 45mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, Ხედვის კუთხე: 44°,

TS8542VA

ნაწილი საფონდო: 1056

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 1A, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.6V, Ხედვის კუთხე: 110°,

TS9410VA

ნაწილი საფონდო: 1067

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 70mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, Ხედვის კუთხე: 120°,

TSAL5300

ნაწილი საფონდო: 969

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 30mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.35V, Ხედვის კუთხე: 44°,

TSHA5202

ნაწილი საფონდო: 125658

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 36mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 875nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2.8V, Ხედვის კუთხე: 24°,

TSAL4400

ნაწილი საფონდო: 128528

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 16mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.35V, Ხედვის კუთხე: 50°,

VSMY3940X01-GS08

ნაწილი საფონდო: 192955

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 8mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.44V, Ხედვის კუთხე: 120°,

VSMB1940X01

ნაწილი საფონდო: 162342

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 3mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.35V, Ხედვის კუთხე: 120°,