ინფრაწითელი, UV, ხილული ემიტერები

VSMY2943SL

VSMY2943SL

ნაწილი საფონდო: 165612

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 20mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.55V, Ხედვის კუთხე: 56°,

სასურველი
VSMG2720-GS08

VSMG2720-GS08

ნაწილი საფონდო: 154401

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 8mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 830nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.45V, Ხედვის კუთხე: 120°,

სასურველი
TSAL6200

TSAL6200

ნაწილი საფონდო: 128511

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 40mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.35V, Ხედვის კუთხე: 34°,

სასურველი
TSTA7300

TSTA7300

ნაწილი საფონდო: 21242

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 10mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 875nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, Ხედვის კუთხე: 24°,

სასურველი
TSHA5200

TSHA5200

ნაწილი საფონდო: 178636

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 25mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 875nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2.8V, Ხედვის კუთხე: 24°,

სასურველი
TSTA7500

TSTA7500

ნაწილი საფონდო: 21273

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 3.5mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 875nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, Ხედვის კუთხე: 60°,

სასურველი
VLMU3500-385-060

VLMU3500-385-060

ნაწილი საფონდო: 13870

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 700mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 550mW/sr @ 500mA, ტალღის სიგრძე: 385nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.4V, Ხედვის კუთხე: 60°,

სასურველი
VSMB14940

VSMB14940

ნაწილი საფონდო: 199019

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 70mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 35mW/sr @ 70mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.33V, Ხედვის კუთხე: 18°,

სასურველი
TSHA5203

TSHA5203

ნაწილი საფონდო: 122059

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 50mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 875nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2.8V, Ხედვის კუთხე: 24°,

სასურველი
VSMY1850

VSMY1850

ნაწილი საფონდო: 193203

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 5mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.65V, Ხედვის კუთხე: 120°,

სასურველი
VSMF2890RGX01

VSMF2890RGX01

ნაწილი საფონდო: 165404

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 20mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, Ხედვის კუთხე: 24°,

სასურველი
VSMF2893GX01

VSMF2893GX01

ნაწილი საფონდო: 67224

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 10mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.4V, Ხედვის კუთხე: 50°,

სასურველი
TS9414VA

TS9414VA

ნაწილი საფონდო: 1194

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.35V, Ხედვის კუთხე: 160°,

სასურველი
VSMG285011RG

VSMG285011RG

ნაწილი საფონდო: 107698

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 20mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 24°,

სასურველი
VSLY5850

VSLY5850

ნაწილი საფონდო: 48895

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 300mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.65V, Ხედვის კუთხე: ,

სასურველი
VSMY2853RG

VSMY2853RG

ნაწილი საფონდო: 122523

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 20mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.65V, Ხედვის კუთხე: 56°,

სასურველი
TSTS7300

TSTS7300

ნაწილი საფონდო: 47963

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 250mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 4mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 950nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 24°,

სასურველი
VSMF4710-GS08

VSMF4710-GS08

ნაწილი საფონდო: 153329

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 6mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 870nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 120°,

სასურველი
VSMB2948RG

VSMB2948RG

ნაწილი საფონდო: 139136

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 10mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.35V, Ხედვის კუთხე: 50°,

სასურველი
VSMG2000X01

VSMG2000X01

ნაწილი საფონდო: 108584

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 20mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.45V, Ხედვის კუთხე: 24°,

სასურველი
TSHG5510

TSHG5510

ნაწილი საფონდო: 46964

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 18mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 830nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.45V, Ხედვის კუთხე: 76°,

სასურველი
TSFF6210

TSFF6210

ნაწილი საფონდო: 190564

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 90mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 870nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 20°,

სასურველი
VSMG2020X01

VSMG2020X01

ნაწილი საფონდო: 194264

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 20mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.45V, Ხედვის კუთხე: 24°,

სასურველი
VSMG2700-GS08

VSMG2700-GS08

ნაწილი საფონდო: 151612

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 6mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 830nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 120°,

სასურველი
TSHG5410

TSHG5410

ნაწილი საფონდო: 63137

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 45mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.5V, Ხედვის კუთხე: 36°,

სასურველი
TSMF1030

TSMF1030

ნაწილი საფონდო: 143570

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 2.5mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 890nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.3V, Ხედვის კუთხე: 34°,

სასურველი
VLMU3100-GS08

VLMU3100-GS08

ნაწილი საფონდო: 117665

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 30mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 2.5mW/sr @ 20mA, ტალღის სიგრძე: 405nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.2V, Ხედვის კუთხე: 120°,

სასურველი
VSMY385010-GS08

VSMY385010-GS08

ნაწილი საფონდო: 125061

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 70mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 5.5mW/sr @ 70mA, ტალღის სიგრძე: 850nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.6V, Ხედვის კუთხე: 120°,

სასურველი
VSMY14940

VSMY14940

ნაწილი საფონდო: 115472

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 70mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 50mW/sr @ 70mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.48V, Ხედვის კუთხე: 18°,

სასურველი
VSMB3940X01-GS08

VSMB3940X01-GS08

ნაწილი საფონდო: 168371

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 7mW/sr @ 1000mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.35V, Ხედვის კუთხე: 120°,

სასურველი
VSLY5940

VSLY5940

ნაწილი საფონდო: 48908

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 300mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.65V, Ხედვის კუთხე: ,

სასურველი
VLMU1610-365-135

VLMU1610-365-135

ნაწილი საფონდო: 77215

ტიპი: Ultraviolet (UV), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 60mA, ტალღის სიგრძე: 367nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 3.5V, Ხედვის კუთხე: 135°,

სასურველი
VSMY2940RG

VSMY2940RG

ნაწილი საფონდო: 195679

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 65mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.55V, Ხედვის კუთხე: 20°,

სასურველი
TSAL5100

TSAL5100

ნაწილი საფონდო: 1184

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 100mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 80mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 940nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 1.35V, Ხედვის კუთხე: 20°,

სასურველი
TSUS5200

TSUS5200

ნაწილი საფონდო: 111922

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 150mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 10mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 950nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2.2V, Ხედვის კუთხე: 30°,

სასურველი
TSUS5400

TSUS5400

ნაწილი საფონდო: 126326

ტიპი: Infrared (IR), მიმდინარე - DC ფორვარდი (თუ) (მაქსიმალური): 150mA, რადიაციული ინტენსივობა (ანუ) Min @ If: 7mW/sr @ 100mA, ტალღის სიგრძე: 950nm, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (ტიპი): 2.2V, Ხედვის კუთხე: 44°,

სასურველი