ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 20nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 780mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 870mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 19nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 850mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 16nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 850mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA,
ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 13nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 870mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 0.1nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 2.8nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 2.6nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 0.7nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 0.5nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 2.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 0.4nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 0.6nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 2.9nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 2.4nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 0.3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 2.1nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 2.3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 0.9nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 0.8nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 2.5nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 0.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±1%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Iron, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 620mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Phenolic, ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 2.57A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1mH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 118mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Phenolic, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.7A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Phenolic, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 3.5A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Phenolic, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 505mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Iron, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 216mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 144mA,
