ფიქსირებული ინდუქტორები

3613C470KHV

3613C470KHV

ნაწილი საფონდო: 165201

მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,

სასურველი
36401E22NFTDF

36401E22NFTDF

ნაწილი საფონდო: 113210

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 22nH, ტოლერანტობა: ±1%, მიმდინარე რეიტინგი: 90mA,

სასურველი
36401E1N5BTDF

36401E1N5BTDF

ნაწილი საფონდო: 109195

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 1.5nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
36401E15NFTDF

36401E15NFTDF

ნაწილი საფონდო: 124711

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 15nH, ტოლერანტობა: ±1%, მიმდინარე რეიტინგი: 130mA,

სასურველი
36401E6N8BTD

36401E6N8BTD

ნაწილი საფონდო: 161340

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,

სასურველი
3-2176075-3

3-2176075-3

ნაწილი საფონდო: 162224

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,

სასურველი
3-2176075-8

3-2176075-8

ნაწილი საფონდო: 162666

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 3.8nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH,

სასურველი
3-2176075-5

3-2176075-5

ნაწილი საფონდო: 127297

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 3.5nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,

სასურველი
3-2176075-1

3-2176075-1

ნაწილი საფონდო: 126158

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 3.1nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,

სასურველი
3-2176075-4

3-2176075-4

ნაწილი საფონდო: 123538

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 3.4nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,

სასურველი
3-2176075-0

3-2176075-0

ნაწილი საფონდო: 165386

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,

სასურველი
3-2176075-2

3-2176075-2

ნაწილი საფონდო: 143880

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 3.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,

სასურველი
3-2176075-6

3-2176075-6

ნაწილი საფონდო: 168947

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 3.6nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,

სასურველი
3-2176075-7

3-2176075-7

ნაწილი საფონდო: 145691

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 3.7nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,

სასურველი
3-2176075-9

3-2176075-9

ნაწილი საფონდო: 164610

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,

სასურველი
36401E1N9ATDF

36401E1N9ATDF

ნაწილი საფონდო: 101577

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 1.9nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 560mA,

სასურველი
36401E2N1ATDF

36401E2N1ATDF

ნაწილი საფონდო: 158444

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 2.1nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 440mA,

სასურველი
36401E1N7ATDF

36401E1N7ATDF

ნაწილი საფონდო: 192718

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 1.7nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 560mA,

სასურველი
36401E0N4ATDF

36401E0N4ATDF

ნაწილი საფონდო: 142291

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 0.4nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
36401E1N4ATDF

36401E1N4ATDF

ნაწილი საფონდო: 167050

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 1.4nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
36401E2N6ATDF

36401E2N6ATDF

ნაწილი საფონდო: 129427

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 2.6nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 440mA,

სასურველი
36401E6N8ATDF

36401E6N8ATDF

ნაწილი საფონდო: 158486

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 260mA,

სასურველი
36401E0N8ATDF

36401E0N8ATDF

ნაწილი საფონდო: 140878

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 0.8nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
36401E3N8ATDF

36401E3N8ATDF

ნაწილი საფონდო: 113774

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 3.8nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 340mA,

სასურველი
36401E2N4ATDF

36401E2N4ATDF

ნაწილი საფონდო: 126300

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 2.4nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 440mA,

სასურველი
36401E12NGTDF

36401E12NGTDF

ნაწილი საფონდო: 192330

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA,

სასურველი
36401E5N9ATDF

36401E5N9ATDF

ნაწილი საფონდო: 123645

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 5.9nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 280mA,

სასურველი
36401E2N5ATDF

36401E2N5ATDF

ნაწილი საფონდო: 161396

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 2.5nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 440mA,

სასურველი
36401E1N3ATDF

36401E1N3ATDF

ნაწილი საფონდო: 108619

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 1.3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
36401E2N0ATDF

36401E2N0ATDF

ნაწილი საფონდო: 148279

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 560mA,

სასურველი
36401E0N2ATDF

36401E0N2ATDF

ნაწილი საფონდო: 110340

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 0.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
36401E3N5ATDF

36401E3N5ATDF

ნაწილი საფონდო: 119017

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 3.5nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 380mA,

სასურველი
36401E1N1ATDF

36401E1N1ATDF

ნაწილი საფონდო: 193645

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 1.1nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
36401E2N8ATDF

36401E2N8ATDF

ნაწილი საფონდო: 122901

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 2.8nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 380mA,

სასურველი
36401E8N0ATDF

36401E8N0ATDF

ნაწილი საფონდო: 149886

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 8nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,

სასურველი
36401E2N3ATDF

36401E2N3ATDF

ნაწილი საფონდო: 104873

ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 2.3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 440mA,

სასურველი