ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

H457K6BZA

H457K6BZA

ნაწილი საფონდო: 107389

წინააღმდეგობა: 57.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H4340KBZA

H4340KBZA

ნაწილი საფონდო: 107349

წინააღმდეგობა: 340 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H4536RBZA

H4536RBZA

ნაწილი საფონდო: 107395

წინააღმდეგობა: 536 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H417R4BZA

H417R4BZA

ნაწილი საფონდო: 107341

წინააღმდეგობა: 17.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H4110RBZA

H4110RBZA

ნაწილი საფონდო: 107428

წინააღმდეგობა: 110 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H488K7BZA

H488K7BZA

ნაწილი საფონდო: 107359

წინააღმდეგობა: 88.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H44K75BZA

H44K75BZA

ნაწილი საფონდო: 107371

წინააღმდეგობა: 4.75 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H412R7BZA

H412R7BZA

ნაწილი საფონდო: 107418

წინააღმდეგობა: 12.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H4374KBZA

H4374KBZA

ნაწილი საფონდო: 107360

წინააღმდეგობა: 374 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H423K2BZA

H423K2BZA

ნაწილი საფონდო: 107348

წინააღმდეგობა: 23.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H476R8BZA

H476R8BZA

ნაწილი საფონდო: 107371

წინააღმდეგობა: 76.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H42K67BZA

H42K67BZA

ნაწილი საფონდო: 107400

წინააღმდეგობა: 2.67 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H420K5BZA

H420K5BZA

ნაწილი საფონდო: 107367

წინააღმდეგობა: 20.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H432R4BZA

H432R4BZA

ნაწილი საფონდო: 107341

წინააღმდეგობა: 32.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H413R7BZA

H413R7BZA

ნაწილი საფონდო: 107397

წინააღმდეგობა: 13.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H4261KBZA

H4261KBZA

ნაწილი საფონდო: 107359

წინააღმდეგობა: 261 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H480K6BZA

H480K6BZA

ნაწილი საფონდო: 107432

წინააღმდეგობა: 80.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H422K6BZA

H422K6BZA

ნაწილი საფონდო: 107412

წინააღმდეგობა: 22.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H4432KBZA

H4432KBZA

ნაწილი საფონდო: 107360

წინააღმდეგობა: 432 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H447R5BZA

H447R5BZA

ნაწილი საფონდო: 107367

წინააღმდეგობა: 47.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H446R4BZA

H446R4BZA

ნაწილი საფონდო: 107401

წინააღმდეგობა: 46.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H4316KBZA

H4316KBZA

ნაწილი საფონდო: 107349

წინააღმდეგობა: 316 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H411K8BZA

H411K8BZA

ნაწილი საფონდო: 107433

წინააღმდეგობა: 11.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H421RBZA

H421RBZA

ნაწილი საფონდო: 107382

წინააღმდეგობა: 21 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H41K18BZA

H41K18BZA

ნაწილი საფონდო: 107351

წინააღმდეგობა: 1.18 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H428KBZA

H428KBZA

ნაწილი საფონდო: 107383

წინააღმდეგობა: 28 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H4237RBZA

H4237RBZA

ნაწილი საფონდო: 107363

წინააღმდეგობა: 237 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H4137KBZA

H4137KBZA

ნაწილი საფონდო: 107434

წინააღმდეგობა: 137 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H410K2BZA

H410K2BZA

ნაწილი საფონდო: 107356

წინააღმდეგობა: 10.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H44K99BZA

H44K99BZA

ნაწილი საფონდო: 107381

წინააღმდეგობა: 4.99 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H428K7BZA

H428K7BZA

ნაწილი საფონდო: 107437

წინააღმდეგობა: 28.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H49K76BZA

H49K76BZA

ნაწილი საფონდო: 107382

წინააღმდეგობა: 9.76 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H41K43BZA

H41K43BZA

ნაწილი საფონდო: 107344

წინააღმდეგობა: 1.43 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H4113RBZA

H4113RBZA

ნაწილი საფონდო: 107412

წინააღმდეგობა: 113 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H484R5BZA

H484R5BZA

ნაწილი საფონდო: 107353

წინააღმდეგობა: 84.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H44K32BZA

H44K32BZA

ნაწილი საფონდო: 107435

წინააღმდეგობა: 4.32 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი