ხვრელების რეზისტორების საშუალებით

C7R10JT

C7R10JT

ნაწილი საფონდო: 118890

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 7W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
SQMW715RJ

SQMW715RJ

ნაწილი საფონდო: 111038

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 7W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Flame Proof, Moisture Resistant, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
C7R22JT

C7R22JT

ნაწილი საფონდო: 118885

წინააღმდეგობა: 220 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 7W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
H83K3CYA

H83K3CYA

ნაწილი საფონდო: 106740

წინააღმდეგობა: 3.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
SQPW1047RJ

SQPW1047RJ

ნაწილი საფონდო: 162533

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Flame Proof, Moisture Resistant, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
ROX5SJ47K

ROX5SJ47K

ნაწილი საფონდო: 165113

წინააღმდეგობა: 47 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Oxide Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Pulse Withstanding, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
ROX5SJ22R

ROX5SJ22R

ნაწილი საფონდო: 130644

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Oxide Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Pulse Withstanding, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
C7680RJT

C7680RJT

ნაწილი საფონდო: 118893

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 7W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
C71K0JT

C71K0JT

ნაწილი საფონდო: 118930

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 7W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
ROX5SJ27R

ROX5SJ27R

ნაწილი საფონდო: 178187

წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Oxide Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Pulse Withstanding, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±350ppm/°C,

სასურველი
SQPW5R033J

SQPW5R033J

ნაწილი საფონდო: 184302

წინააღმდეგობა: 33 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Flame Proof, Moisture Resistant, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
C3A6K2JT

C3A6K2JT

ნაწილი საფონდო: 107468

წინააღმდეგობა: 6.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
C3A6K8JT

C3A6K8JT

ნაწილი საფონდო: 107469

წინააღმდეგობა: 6.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 3W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
SQPW1082RJ

SQPW1082RJ

ნაწილი საფონდო: 188294

წინააღმდეგობა: 82 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, მახასიათებლები: Flame Proof, Moisture Resistant, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
C7R15JT

C7R15JT

ნაწილი საფონდო: 118932

წინააღმდეგობა: 150 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 7W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±200ppm/°C,

სასურველი
SQMR71K0J

SQMR71K0J

ნაწილი საფონდო: 111039

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 7W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Flame Proof, Moisture Resistant, Safety, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C,

სასურველი
H431K6BZA

H431K6BZA

ნაწილი საფონდო: 107379

წინააღმდეგობა: 31.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H4205RBZA

H4205RBZA

ნაწილი საფონდო: 107395

წინააღმდეგობა: 205 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H416K9BZA

H416K9BZA

ნაწილი საფონდო: 107386

წინააღმდეგობა: 16.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H4221RBZA

H4221RBZA

ნაწილი საფონდო: 107425

წინააღმდეგობა: 221 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H4200KBZA

H4200KBZA

ნაწილი საფონდო: 107374

წინააღმდეგობა: 200 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H4274KBZA

H4274KBZA

ნაწილი საფონდო: 107382

წინააღმდეგობა: 274 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H4280KBZA

H4280KBZA

ნაწილი საფონდო: 107419

წინააღმდეგობა: 280 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H418R7BZA

H418R7BZA

ნაწილი საფონდო: 107421

წინააღმდეგობა: 18.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H4143RBZA

H4143RBZA

ნაწილი საფონდო: 107423

წინააღმდეგობა: 143 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H4681RBZA

H4681RBZA

ნაწილი საფონდო: 107367

წინააღმდეგობა: 681 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H415RBZA

H415RBZA

ნაწილი საფონდო: 107379

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H428RBZA

H428RBZA

ნაწილი საფონდო: 107381

წინააღმდეგობა: 28 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H416K2BZA

H416K2BZA

ნაწილი საფონდო: 107393

წინააღმდეგობა: 16.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H41K82BZA

H41K82BZA

ნაწილი საფონდო: 107401

წინააღმდეგობა: 1.82 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H4267RBZA

H4267RBZA

ნაწილი საფონდო: 107431

წინააღმდეგობა: 267 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H461R9BZA

H461R9BZA

ნაწილი საფონდო: 107423

წინააღმდეგობა: 61.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H439R2BZA

H439R2BZA

ნაწილი საფონდო: 107403

წინააღმდეგობა: 39.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H453K6BZA

H453K6BZA

ნაწილი საფონდო: 107394

წინააღმდეგობა: 53.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H4182RBZA

H4182RBZA

ნაწილი საფონდო: 107419

წინააღმდეგობა: 182 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
H4453RBZA

H4453RBZA

ნაწილი საფონდო: 107385

წინააღმდეგობა: 453 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Film, მახასიათებლები: Pulse Withstanding, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი