შასის მთის წინააღმდეგობები

HSA258K2J

HSA258K2J

ნაწილი საფონდო: 30448

წინააღმდეგობა: 8.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
HSA2515RJ

HSA2515RJ

ნაწილი საფონდო: 25145

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
THS151K0J

THS151K0J

ნაწილი საფონდო: 39573

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 15W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
HSA2527RJ

HSA2527RJ

ნაწილი საფონდო: 25103

წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
THS25R02J

THS25R02J

ნაწილი საფონდო: 30712

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
THS2533RJ

THS2533RJ

ნაწილი საფონდო: 30700

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
HSA58R25F

HSA58R25F

ნაწილი საფონდო: 18709

წინააღმდეგობა: 8.25 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
THS102R7J

THS102R7J

ნაწილი საფონდო: 37361

წინააღმდეგობა: 2.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
HSA54R7J

HSA54R7J

ნაწილი საფონდო: 36979

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
THS2527RJ

THS2527RJ

ნაწილი საფონდო: 30665

წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
HSA256R2E

HSA256R2E

ნაწილი საფონდო: 30436

წინააღმდეგობა: 6.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±3%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
THS255R0J

THS255R0J

ნაწილი საფონდო: 30668

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
HSA1030RF

HSA1030RF

ნაწილი საფონდო: 31389

წინააღმდეგობა: 30 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 16W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
HSA1039RJ

HSA1039RJ

ნაწილი საფონდო: 25931

წინააღმდეგობა: 39 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 16W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
THS153K3J

THS153K3J

ნაწილი საფონდო: 39542

წინააღმდეგობა: 3.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 15W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
THS10270RJ

THS10270RJ

ნაწილი საფონდო: 37346

წინააღმდეგობა: 270 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
THS255R1J

THS255R1J

ნაწილი საფონდო: 30723

წინააღმდეგობა: 5.1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
THS25120RJ

THS25120RJ

ნაწილი საფონდო: 30717

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
HSA25R01E

HSA25R01E

ნაწილი საფონდო: 30399

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±3%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
THS10680RJ

THS10680RJ

ნაწილი საფონდო: 37437

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
THS15R05J

THS15R05J

ნაწილი საფონდო: 39552

წინააღმდეგობა: 50 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 15W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
HSA25R68J

HSA25R68J

ნაწილი საფონდო: 25121

წინააღმდეგობა: 680 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
HSA10120RJ

HSA10120RJ

ნაწილი საფონდო: 25932

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 16W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
THS10470RJ

THS10470RJ

ნაწილი საფონდო: 37410

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
THS10220RJ

THS10220RJ

ნაწილი საფონდო: 37404

წინააღმდეგობა: 220 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
HSA101R0F

HSA101R0F

ნაწილი საფონდო: 31376

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 16W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
HSA2575RJ

HSA2575RJ

ნაწილი საფონდო: 30433

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
THS10120RJ

THS10120RJ

ნაწილი საფონდო: 37387

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
HSA25120RJ

HSA25120RJ

ნაწილი საფონდო: 25098

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
THS10R10J

THS10R10J

ნაწილი საფონდო: 37377

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
HSA25390RJ

HSA25390RJ

ნაწილი საფონდო: 30475

წინააღმდეგობა: 390 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
HSA1056RJ

HSA1056RJ

ნაწილი საფონდო: 28750

წინააღმდეგობა: 56 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 16W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
HSA255R6J

HSA255R6J

ნაწილი საფონდო: 25154

წინააღმდეგობა: 5.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
SQBW3015RJFASTON

SQBW3015RJFASTON

ნაწილი საფონდო: 46298

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 30W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 250°C,

სასურველი
THS103K3J

THS103K3J

ნაწილი საფონდო: 37436

წინააღმდეგობა: 3.3 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 10W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
HSA55K6J

HSA55K6J

ნაწილი საფონდო: 37027

სასურველი