შასის მთის წინააღმდეგობები

TE150B5R6J

TE150B5R6J

ნაწილი საფონდო: 4716

წინააღმდეგობა: 5.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE60B120RJ

TE60B120RJ

ნაწილი საფონდო: 6831

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 60W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE80B3R3J

TE80B3R3J

ნაწილი საფონდო: 6637

წინააღმდეგობა: 3.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE150B18RJ

TE150B18RJ

ნაწილი საფონდო: 4686

წინააღმდეგობა: 18 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE50B1K0J

TE50B1K0J

ნაწილი საფონდო: 6821

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
HSC150240RJ

HSC150240RJ

ნაწილი საფონდო: 5392

წინააღმდეგობა: 240 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
TE100B8R2J

TE100B8R2J

ნაწილი საფონდო: 5779

წინააღმდეგობა: 8.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
HSC10033KJ

HSC10033KJ

ნაწილი საფონდო: 7346

წინააღმდეგობა: 33 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
TE100B270RJ

TE100B270RJ

ნაწილი საფონდო: 5816

წინააღმდეგობა: 270 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE100B2R2J

TE100B2R2J

ნაწილი საფონდო: 5766

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE60B27RJ

TE60B27RJ

ნაწილი საფონდო: 6841

წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 60W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE100B560RJ

TE100B560RJ

ნაწილი საფონდო: 5785

წინააღმდეგობა: 560 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE120B82RJ

TE120B82RJ

ნაწილი საფონდო: 5277

წინააღმდეგობა: 82 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 120W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE60B22RJ

TE60B22RJ

ნაწილი საფონდო: 8301

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 60W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
HSC1001R0J

HSC1001R0J

ნაწილი საფონდო: 7066

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
TE80B3R9J

TE80B3R9J

ნაწილი საფონდო: 6626

წინააღმდეგობა: 3.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE50B5R6J

TE50B5R6J

ნაწილი საფონდო: 6879

წინააღმდეგობა: 5.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE50B1R5J

TE50B1R5J

ნაწილი საფონდო: 6818

წინააღმდეგობა: 1.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
HSC7547RJ

HSC7547RJ

ნაწილი საფონდო: 6304

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 75W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
TE150B390RJ

TE150B390RJ

ნაწილი საფონდო: 4712

წინააღმდეგობა: 390 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
THS756R8J

THS756R8J

ნაწილი საფონდო: 7057

წინააღმდეგობა: 6.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 75W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
TE60B150RJ

TE60B150RJ

ნაწილი საფონდო: 6806

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 60W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE50B270RJ

TE50B270RJ

ნაწილი საფონდო: 6816

წინააღმდეგობა: 270 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE120B270RJ

TE120B270RJ

ნაწილი საფონდო: 5269

წინააღმდეგობა: 270 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 120W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
HSC1004R0J

HSC1004R0J

ნაწილი საფონდო: 7330

წინააღმდეგობა: 4 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
TE100B1K8J

TE100B1K8J

ნაწილი საფონდო: 5806

წინააღმდეგობა: 1.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
HSC1506R8J

HSC1506R8J

ნაწილი საფონდო: 5413

წინააღმდეგობა: 6.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
TE60B12RJ

TE60B12RJ

ნაწილი საფონდო: 6877

წინააღმდეგობა: 12 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 60W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE60B680RJ

TE60B680RJ

ნაწილი საფონდო: 6852

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 60W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
HSC15047RJ

HSC15047RJ

ნაწილი საფონდო: 4838

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
TE80B560RJ

TE80B560RJ

ნაწილი საფონდო: 6621

წინააღმდეგობა: 560 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE60B2R2J

TE60B2R2J

ნაწილი საფონდო: 6818

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 60W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
HSC15022RJ

HSC15022RJ

ნაწილი საფონდო: 4868

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
THS752R2J

THS752R2J

ნაწილი საფონდო: 7079

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 75W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
TE80B27RJ

TE80B27RJ

ნაწილი საფონდო: 6567

წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE80B1K0J

TE80B1K0J

ნაწილი საფონდო: 6597

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი