შასის მთის წინააღმდეგობები

CJT6082RJJ

CJT6082RJJ

ნაწილი საფონდო: 3377

წინააღმდეგობა: 82 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 60W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
CJT601R8JJ

CJT601R8JJ

ნაწილი საფონდო: 3461

წინააღმდეგობა: 1.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 60W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
CJT1001K8JJ

CJT1001K8JJ

ნაწილი საფონდო: 3675

წინააღმდეგობა: 1.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
CJT601R2JJ

CJT601R2JJ

ნაწილი საფონდო: 3430

წინააღმდეგობა: 1.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 60W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
CJT6012RJJ

CJT6012RJJ

ნაწილი საფონდო: 3463

წინააღმდეგობა: 12 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 60W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
CJT1001K5JJ

CJT1001K5JJ

ნაწილი საფონდო: 3588

წინააღმდეგობა: 1.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
TE500B2R2JV

TE500B2R2JV

ნაწილი საფონდო: 3849

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
CJT100270RJJ

CJT100270RJJ

ნაწილი საფონდო: 3637

წინააღმდეგობა: 270 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
TE200B270RJ

TE200B270RJ

ნაწილი საფონდო: 3944

წინააღმდეგობა: 270 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
CJT100100RJJ

CJT100100RJJ

ნაწილი საფონდო: 3583

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
TE200B1K8J

TE200B1K8J

ნაწილი საფონდო: 3868

წინააღმდეგობა: 1.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
CJT100390RJJ

CJT100390RJJ

ნაწილი საფონდო: 3669

წინააღმდეგობა: 390 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
CJT10039RJJ

CJT10039RJJ

ნაწილი საფონდო: 3638

წინააღმდეგობა: 39 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
CJT100470RJJ

CJT100470RJJ

ნაწილი საფონდო: 3611

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
TE200B82RJ

TE200B82RJ

ნაწილი საფონდო: 3880

წინააღმდეგობა: 82 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE200B33RJ

TE200B33RJ

ნაწილი საფონდო: 3869

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
CJT100680RJJ

CJT100680RJJ

ნაწილი საფონდო: 3582

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
CJT606R8JJ

CJT606R8JJ

ნაწილი საფონდო: 3415

წინააღმდეგობა: 6.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 60W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
CJT6022RJJ

CJT6022RJJ

ნაწილი საფონდო: 3464

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 60W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
TE200B1R8J

TE200B1R8J

ნაწილი საფონდო: 3967

წინააღმდეგობა: 1.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
CJT602R2JJ

CJT602R2JJ

ნაწილი საფონდო: 3443

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 60W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
CJT604R7JJ

CJT604R7JJ

ნაწილი საფონდო: 3411

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 60W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
CJT10047RJJ

CJT10047RJJ

ნაწილი საფონდო: 3594

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C,

სასურველი
TE80B270RJ

TE80B270RJ

ნაწილი საფონდო: 6563

წინააღმდეგობა: 270 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE100B56RJ

TE100B56RJ

ნაწილი საფონდო: 5818

წინააღმდეგობა: 56 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE150B3R3J

TE150B3R3J

ნაწილი საფონდო: 4642

წინააღმდეგობა: 3.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE50B4R7J

TE50B4R7J

ნაწილი საფონდო: 6875

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE50B680RJ

TE50B680RJ

ნაწილი საფონდო: 6804

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE100B82RJ

TE100B82RJ

ნაწილი საფონდო: 5747

წინააღმდეგობა: 82 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
HSC100R82J

HSC100R82J

ნაწილი საფონდო: 7332

წინააღმდეგობა: 820 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
TE120B120RJ

TE120B120RJ

ნაწილი საფონდო: 5240

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 120W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE80B180RJ

TE80B180RJ

ნაწილი საფონდო: 6628

წინააღმდეგობა: 180 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 80W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE60B180RJ

TE60B180RJ

ნაწილი საფონდო: 6829

წინააღმდეგობა: 180 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 60W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
NHSC1001K8J

NHSC1001K8J

ნაწილი საფონდო: 5489

წინააღმდეგობა: 1.8 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
HSC1006R8J

HSC1006R8J

ნაწილი საფონდო: 6640

წინააღმდეგობა: 6.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
TE150B2R7J

TE150B2R7J

ნაწილი საფონდო: 4705

წინააღმდეგობა: 2.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი