შასის მთის წინააღმდეგობები

HSC30010RJ

HSC30010RJ

ნაწილი საფონდო: 1667

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
TE750B3R9J

TE750B3R9J

ნაწილი საფონდო: 2045

წინააღმდეგობა: 3.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 750W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
HSC25033RJ

HSC25033RJ

ნაწილი საფონდო: 1658

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
TE750B820RJ

TE750B820RJ

ნაწილი საფონდო: 2045

წინააღმდეგობა: 820 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 750W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE600B33RJ

TE600B33RJ

ნაწილი საფონდო: 1895

წინააღმდეგობა: 33 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE750B1K2J

TE750B1K2J

ნაწილი საფონდო: 2050

წინააღმდეგობა: 1.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 750W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE600B12RJ

TE600B12RJ

ნაწილი საფონდო: 1895

წინააღმდეგობა: 12 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE400B680RJ

TE400B680RJ

ნაწილი საფონდო: 2110

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 400W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TJT2506R8J

TJT2506R8J

ნაწილი საფონდო: 1619

წინააღმდეგობა: 6.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
TE600B39RJ

TE600B39RJ

ნაწილი საფონდო: 1969

წინააღმდეგობა: 39 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE750B56RJ

TE750B56RJ

ნაწილი საფონდო: 2080

წინააღმდეგობა: 56 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 750W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE400B150RJ

TE400B150RJ

ნაწილი საფონდო: 2122

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 400W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TJT25010RJ

TJT25010RJ

ნაწილი საფონდო: 1627

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
TJT1503R3J

TJT1503R3J

ნაწილი საფონდო: 1752

წინააღმდეგობა: 3.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
TE750B12RJ

TE750B12RJ

ნაწილი საფონდო: 2120

წინააღმდეგობა: 12 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 750W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE400B120RJ

TE400B120RJ

ნაწილი საფონდო: 2046

წინააღმდეგობა: 120 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 400W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE400B39RJ

TE400B39RJ

ნაწილი საფონდო: 2058

წინააღმდეგობა: 39 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 400W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE600B1R8J

TE600B1R8J

ნაწილი საფონდო: 1967

წინააღმდეგობა: 1.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE400B56RJ

TE400B56RJ

ნაწილი საფონდო: 2048

წინააღმდეგობა: 56 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 400W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE750B150RJ

TE750B150RJ

ნაწილი საფონდო: 2042

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 750W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
HSC25022RJ

HSC25022RJ

ნაწილი საფონდო: 1707

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
HSC300R32J

HSC300R32J

ნაწილი საფონდო: 1854

წინააღმდეგობა: 320 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
TJT250470RJ

TJT250470RJ

ნაწილი საფონდო: 1587

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
TJT150330RJ

TJT150330RJ

ნაწილი საფონდო: 1777

წინააღმდეგობა: 330 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
TJT1501K0J

TJT1501K0J

ნაწილი საფონდო: 1693

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
TE400B1R8J

TE400B1R8J

ნაწილი საფონდო: 2083

წინააღმდეგობა: 1.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 400W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE750B10RJ

TE750B10RJ

ნაწილი საფონდო: 2119

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 750W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE750B180RJ

TE750B180RJ

ნაწილი საფონდო: 2126

წინააღმდეგობა: 180 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 750W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE750B3R3J

TE750B3R3J

ნაწილი საფონდო: 2049

წინააღმდეგობა: 3.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 750W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
HSC3006R8J

HSC3006R8J

ნაწილი საფონდო: 1640

წინააღმდეგობა: 6.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
HSC3004K7J

HSC3004K7J

ნაწილი საფონდო: 1903

წინააღმდეგობა: 4.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±30ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
TJT15022RJ

TJT15022RJ

ნაწილი საფონდო: 1763

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი
HSC3003R6J

HSC3003R6J

ნაწილი საფონდო: 1878

წინააღმდეგობა: 3.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 200°C,

სასურველი
TE600B27RJ

TE600B27RJ

ნაწილი საფონდო: 1960

წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TE750B5R6J

TE750B5R6J

ნაწილი საფონდო: 2084

წინააღმდეგობა: 5.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 750W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±440ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 225°C,

სასურველი
TJT250220RJ

TJT250220RJ

ნაწილი საფონდო: 1625

წინააღმდეგობა: 220 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 250W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 250°C,

სასურველი