ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RN73C1E124RBTG

RN73C1E124RBTG

ნაწილი საფონდო: 68053

წინააღმდეგობა: 124 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1E4K99BTG

RN73C1E4K99BTG

ნაწილი საფონდო: 68129

წინააღმდეგობა: 4.99 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1E357RBTG

RN73C1E357RBTG

ნაწილი საფონდო: 68052

წინააღმდეგობა: 357 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1E107RBTG

RN73C1E107RBTG

ნაწილი საფონდო: 68082

წინააღმდეგობა: 107 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1E100RBTG

RN73C1E100RBTG

ნაწილი საფონდო: 68119

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1E86R6BTG

RN73C1E86R6BTG

ნაწილი საფონდო: 68078

წინააღმდეგობა: 86.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1E1K4BTG

RN73C1E1K4BTG

ნაწილი საფონდო: 68133

წინააღმდეგობა: 1.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1E787RBTG

RN73C1E787RBTG

ნაწილი საფონდო: 68041

წინააღმდეგობა: 787 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1E3K4BTG

RN73C1E3K4BTG

ნაწილი საფონდო: 68091

წინააღმდეგობა: 3.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1E13K7BTG

RN73C1E13K7BTG

ნაწილი საფონდო: 68084

წინააღმდეგობა: 13.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1E69R8BTG

RN73C1E69R8BTG

ნაწილი საფონდო: 68070

წინააღმდეგობა: 69.8 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RP73C2B10KATDF

RP73C2B10KATDF

ნაწილი საფონდო: 72239

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.25W, 1/4W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A162RBTG

RN73C2A162RBTG

ნაწილი საფონდო: 78972

წინააღმდეგობა: 162 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RH73W2A5GNTN

RH73W2A5GNTN

ნაწილი საფონდო: 65305

წინააღმდეგობა: 5 GOhms, ტოლერანტობა: ±30%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C,

სასურველი
RN73C2B255KATDF

RN73C2B255KATDF

ნაწილი საფონდო: 73134

წინააღმდეგობა: 255 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
TLR3A10DR0015FTDG

TLR3A10DR0015FTDG

ნაწილი საფონდო: 129600

წინააღმდეგობა: 1.5 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Foil, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
TLRS157535QR003FTDG

TLRS157535QR003FTDG

ნაწილი საფონდო: 70857

წინააღმდეგობა: 3 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 3.5W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±120ppm/°C,

სასურველი
RN73C2B4K99BTG

RN73C2B4K99BTG

ნაწილი საფონდო: 67925

სასურველი
RN73C2B7K15BTG

RN73C2B7K15BTG

ნაწილი საფონდო: 67886

სასურველი
RN73C2B35K7BTG

RN73C2B35K7BTG

ნაწილი საფონდო: 67849

სასურველი
TLRS157540QR002FTDG

TLRS157540QR002FTDG

ნაწილი საფონდო: 70860

წინააღმდეგობა: 2 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 4W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±120ppm/°C,

სასურველი
RN73C2B232KBTG

RN73C2B232KBTG

ნაწილი საფონდო: 71636

წინააღმდეგობა: 232 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2B453RBTG

RN73C2B453RBTG

ნაწილი საფონდო: 71625

წინააღმდეგობა: 453 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
TLRS157560QR001FTDG

TLRS157560QR001FTDG

ნაწილი საფონდო: 70838

წინააღმდეგობა: 1 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±120ppm/°C,

სასურველი
RN73C2B1K69BTG

RN73C2B1K69BTG

ნაწილი საფონდო: 67922

სასურველი
TLRS157560ER0005FTDG

TLRS157560ER0005FTDG

ნაწილი საფონდო: 70780

წინააღმდეგობა: 500 µOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Current Sense, Moisture Resistant, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
RP73D2A4R99BTG

RP73D2A4R99BTG

ნაწილი საფონდო: 68477

წინააღმდეგობა: 4.99 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±15ppm/°C,

სასურველი
RN73C2B6K81BTG

RN73C2B6K81BTG

ნაწილი საფონდო: 71646

წინააღმდეგობა: 6.81 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.125W, 1/8W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J4K7ATDF

RN73C1J4K7ATDF

ნაწილი საფონდო: 78478

წინააღმდეგობა: 4.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J649RATDF

RN73C1J649RATDF

ნაწილი საფონდო: 78409

წინააღმდეგობა: 649 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J1K0ATDF

RN73C1J1K0ATDF

ნაწილი საფონდო: 78437

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J3K9ATDF

RN73C1J3K9ATDF

ნაწილი საფონდო: 78444

წინააღმდეგობა: 3.9 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.05%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J28R7BTG

RN73C1J28R7BTG

ნაწილი საფონდო: 78972

წინააღმდეგობა: 28.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J1K54BTG

RN73C1J1K54BTG

ნაწილი საფონდო: 78971

წინააღმდეგობა: 1.54 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C1J48K7BTG

RN73C1J48K7BTG

ნაწილი საფონდო: 78917

წინააღმდეგობა: 48.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RN73C2A19R6BTG

RN73C2A19R6BTG

ნაწილი საფონდო: 78903

წინააღმდეგობა: 19.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.1W, 1/10W, კომპოზიცია: Thin Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი