დიოდები - ხიდის გამსწორებლები

TS25P07GHC2G

TS25P07GHC2G

ნაწილი საფონდო: 92

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 25A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 1000V,

სასურველი
TS50P06G C2G

TS50P06G C2G

ნაწილი საფონდო: 39

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 50A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 25A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 800V,

სასურველი
TS50P05G C2G

TS50P05G C2G

ნაწილი საფონდო: 125

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 50A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 25A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 600V,

სასურველი
TS25P01GHC2G

TS25P01GHC2G

ნაწილი საფონდო: 54

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 25A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 50V,

სასურველი
TS35P05G D2G

TS35P05G D2G

ნაწილი საფონდო: 101

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 17.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 600V,

სასურველი
TS25P02G C2G

TS25P02G C2G

ნაწილი საფონდო: 123

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 25A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 100V,

სასურველი
TS35P06G C2G

TS35P06G C2G

ნაწილი საფონდო: 103

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 17.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 800V,

სასურველი
UR4KB80-B C2G

UR4KB80-B C2G

ნაწილი საფონდო: 63

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 2A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 800V,

სასურველი
TS40P06GHC2G

TS40P06GHC2G

ნაწილი საფონდო: 53

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 20A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 800V,

სასურველი
TS25P03G C2G

TS25P03G C2G

ნაწილი საფონდო: 74

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 25A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 200V,

სასურველი
TS40P05G C2G

TS40P05G C2G

ნაწილი საფონდო: 92

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 20A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 600V,

სასურველი
TS40P06G C2G

TS40P06G C2G

ნაწილი საფონდო: 65

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 20A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 800V,

სასურველი
TS25P01G D2G

TS25P01G D2G

ნაწილი საფონდო: 63

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 25A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 50V,

სასურველი
TS25P02G D2G

TS25P02G D2G

ნაწილი საფონდო: 56

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 25A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 100V,

სასურველი
TS25P02GHC2G

TS25P02GHC2G

ნაწილი საფონდო: 114

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 25A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 100V,

სასურველი
TS25P03G D2G

TS25P03G D2G

ნაწილი საფონდო: 75

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 25A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 200V,

სასურველი
TS40P07GHC2G

TS40P07GHC2G

ნაწილი საფონდო: 104

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 20A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 1000V,

სასურველი
TS25P01GHD2G

TS25P01GHD2G

ნაწილი საფონდო: 41

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 25A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 50V,

სასურველი
TS25P03GHC2G

TS25P03GHC2G

ნაწილი საფონდო: 106

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 25A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 200V,

სასურველი
TS40P06G D2G

TS40P06G D2G

ნაწილი საფონდო: 63

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 20A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 800V,

სასურველი
TS35P06GHC2G

TS35P06GHC2G

ნაწილი საფონდო: 52

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 17.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 800V,

სასურველი
TS40P05GHC2G

TS40P05GHC2G

ნაწილი საფონდო: 80

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 20A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 600V,

სასურველი
TS25P04GHC2G

TS25P04GHC2G

ნაწილი საფონდო: 129

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 25A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 400V,

სასურველი
TS40P07G C2G

TS40P07G C2G

ნაწილი საფონდო: 73

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 20A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 1000V,

სასურველი
TS25P04GHD2G

TS25P04GHD2G

ნაწილი საფონდო: 76

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 25A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 400V,

სასურველი
GBPC3508W T0G

GBPC3508W T0G

ნაწილი საფონდო: 133

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 17.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 800V,

სასურველი
DBLS156GHC1G

DBLS156GHC1G

ნაწილი საფონდო: 157

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 800V,

სასურველი
DBLS204G C1G

DBLS204G C1G

ნაწილი საფონდო: 160

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 2A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 400V,

სასურველი
GBL205HD2G

GBL205HD2G

ნაწილი საფონდო: 117

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 2A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 600V,

სასურველი
D2SB40 D2G

D2SB40 D2G

ნაწილი საფონდო: 147

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 2A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 400V,

სასურველი
GBPC4004M T0G

GBPC4004M T0G

ნაწილი საფონდო: 126

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 20A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 400V,

სასურველი
DBLS201GHC1G

DBLS201GHC1G

ნაწილი საფონდო: 89

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 2A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 50V,

სასურველი
GBLA005HD2G

GBLA005HD2G

ნაწილი საფონდო: 168

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 4A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 50V,

სასურველი
GBLA01 D2G

GBLA01 D2G

ნაწილი საფონდო: 138

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 4A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 100V,

სასურველი
DBLS155GHRDG

DBLS155GHRDG

ნაწილი საფონდო: 170

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 600V,

სასურველი
GBPC1502W T0G

GBPC1502W T0G

ნაწილი საფონდო: 114

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 7.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 200V,

სასურველი