დიოდები - ხიდის გამსწორებლები

TS25P05GHD2G

TS25P05GHD2G

ნაწილი საფონდო: 144

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 25A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 600V,

სასურველი
GBPC2506M T0G

GBPC2506M T0G

ნაწილი საფონდო: 89

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 12.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 600V,

სასურველი
TS6K40 D3G

TS6K40 D3G

ნაწილი საფონდო: 158

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 6A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 400V,

სასურველი
GBPC1506 T0G

GBPC1506 T0G

ნაწილი საფონდო: 172

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 7.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 600V,

სასურველი
DBLS206GHRDG

DBLS206GHRDG

ნაწილი საფონდო: 124

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 2A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 800V,

სასურველი
GBU1005HD2G

GBU1005HD2G

ნაწილი საფონდო: 93

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 10A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 600V,

სასურველი
DBLS152GHC1G

DBLS152GHC1G

ნაწილი საფონდო: 176

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 100V,

სასურველი
DBLS151G RDG

DBLS151G RDG

ნაწილი საფონდო: 139

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 50V,

სასურველი
GBPC3501 T0G

GBPC3501 T0G

ნაწილი საფონდო: 115

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 17.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 100V,

სასურველი
GBL04 D2G

GBL04 D2G

ნაწილი საფონდო: 124

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 4A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 400V,

სასურველი
GBPC1501 T0G

GBPC1501 T0G

ნაწილი საფონდო: 146

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 7.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 100V,

სასურველი
DBL101GHC1G

DBL101GHC1G

ნაწილი საფონდო: 125

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 50V,

სასურველი
D2SB10 D2G

D2SB10 D2G

ნაწილი საფონდო: 95

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 2A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 100V,

სასურველი
TS8P04GHC2G

TS8P04GHC2G

ნაწილი საფონდო: 111

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 8A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 400V,

სასურველი
TS25P06GHC2G

TS25P06GHC2G

ნაწილი საფონდო: 140

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 25A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 800V,

სასურველი
DBL152G C1G

DBL152G C1G

ნაწილი საფონდო: 94

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 100V,

სასურველი
SBS25HRGG

SBS25HRGG

ნაწილი საფონდო: 101

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 500mV @ 2A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100µA @ 50V,

სასურველი
TS8P03GHD2G

TS8P03GHD2G

ნაწილი საფონდო: 172

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 8A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 200V,

სასურველი
GBL005HD2G

GBL005HD2G

ნაწილი საფონდო: 151

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 4A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 5V,

სასურველი
EABS1GHREG

EABS1GHREG

ნაწილი საფონდო: 171

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 1A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 1µA @ 400V,

სასურველი
GBPC3506W T0G

GBPC3506W T0G

ნაწილი საფონდო: 112

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 17.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 600V,

სასურველი
TS8P07GHC2G

TS8P07GHC2G

ნაწილი საფონდო: 146

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 8A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 1000V,

სასურველი
TS6P07G D2G

TS6P07G D2G

ნაწილი საფონდო: 119

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 6A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 1000V,

სასურველი
MBS4HRCG

MBS4HRCG

ნაწილი საფონდო: 102

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 500mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 400mA, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 400V,

სასურველი
DBLS159GHC1G

DBLS159GHC1G

ნაწილი საფონდო: 173

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.4kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 1.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 1400V,

სასურველი
TS8P01G D2G

TS8P01G D2G

ნაწილი საფონდო: 116

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 8A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 50V,

სასურველი
TS10KL100HD3G

TS10KL100HD3G

ნაწილი საფონდო: 163

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 1000V,

სასურველი
DBLS159GHRDG

DBLS159GHRDG

ნაწილი საფონდო: 171

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.4kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 1.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 1400V,

სასურველი
GBU604 D2G

GBU604 D2G

ნაწილი საფონდო: 83

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 6A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 400V,

სასურველი
GBPC2510M T0G

GBPC2510M T0G

ნაწილი საფონდო: 122

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 12.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 1000V,

სასურველი
EABS1DHRGG

EABS1DHRGG

ნაწილი საფონდო: 143

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 1.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 1µA @ 200V,

სასურველი
EABS1GHRGG

EABS1GHRGG

ნაწილი საფონდო: 130

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 1A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 1µA @ 400V,

სასურველი
GBPC5004 T0G

GBPC5004 T0G

ნაწილი საფონდო: 112

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 50A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 25A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 400V,

სასურველი
SBS26 RGG

SBS26 RGG

ნაწილი საფონდო: 116

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 2A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 50µA @ 60V,

სასურველი
TS8P04G C2G

TS8P04G C2G

ნაწილი საფონდო: 112

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 8A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 400V,

სასურველი
GBPC3502M T0G

GBPC3502M T0G

ნაწილი საფონდო: 176

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 17.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 200V,

სასურველი