დიოდები - ხიდის გამსწორებლები

TSS4B04G C2G

TSS4B04G C2G

ნაწილი საფონდო: 163

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 4A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 400V,

სასურველი
EABS1D REG

EABS1D REG

ნაწილი საფონდო: 118

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 1.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 1µA @ 200V,

სასურველი
DBL201G C1G

DBL201G C1G

ნაწილი საფონდო: 129

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 2A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 5V,

სასურველი
GBPC3510 T0G

GBPC3510 T0G

ნაწილი საფონდო: 101

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 17.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 1000V,

სასურველი
TSS4B03G C2G

TSS4B03G C2G

ნაწილი საფონდო: 116

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 980mV @ 4A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 200V,

სასურველი
DBL206GHC1G

DBL206GHC1G

ნაწილი საფონდო: 130

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 2A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 800V,

სასურველი
DBLS107GHC1G

DBLS107GHC1G

ნაწილი საფონდო: 173

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 1000V,

სასურველი
DBL102GHC1G

DBL102GHC1G

ნაწილი საფონდო: 176

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 100V,

სასურველი
DBL156G C1G

DBL156G C1G

ნაწილი საფონდო: 92

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 800V,

სასურველი
TS50P06G D2G

TS50P06G D2G

ნაწილი საფონდო: 91

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 50A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 25A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 800V,

სასურველი
TSS4B02GHC2G

TSS4B02GHC2G

ნაწილი საფონდო: 135

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 980mV @ 4A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 100V,

სასურველი
DBL107GHC1G

DBL107GHC1G

ნაწილი საფონდო: 117

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 1000V,

სასურველი
GBU401HD2G

GBU401HD2G

ნაწილი საფონდო: 119

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 4A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 50V,

სასურველი
TS15P06GHC2G

TS15P06GHC2G

ნაწილი საფონდო: 89

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 15A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 800V,

სასურველი
DBLS203GHRDG

DBLS203GHRDG

ნაწილი საფონდო: 138

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 2A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 200V,

სასურველი
DBLS106GHRDG

DBLS106GHRDG

ნაწილი საფონდო: 155

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 800V,

სასურველი
TS25P05G C2G

TS25P05G C2G

ნაწილი საფონდო: 158

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 25A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 600V,

სასურველი
TS4K40 D3G

TS4K40 D3G

ნაწილი საფონდო: 90

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 4A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 400V,

სასურველი
DBLS205G C1G

DBLS205G C1G

ნაწილი საფონდო: 98

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 2A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 600V,

სასურველი
UR8KB60 C2G

UR8KB60 C2G

ნაწილი საფონდო: 66

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 8A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 600V,

სასურველი
GBPC3506M T0G

GBPC3506M T0G

ნაწილი საფონდო: 88

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 17.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 600V,

სასურველი
GBU1003HD2G

GBU1003HD2G

ნაწილი საფონდო: 96

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 10A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 200V,

სასურველი
TS8P01G C2G

TS8P01G C2G

ნაწილი საფონდო: 137

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 8A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 50V,

სასურველი
DBLS102G C1G

DBLS102G C1G

ნაწილი საფონდო: 173

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 100V,

სასურველი
GBL06HD2G

GBL06HD2G

ნაწილი საფონდო: 135

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 4A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 600V,

სასურველი
GBPC3508 T0G

GBPC3508 T0G

ნაწილი საფონდო: 147

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 17.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 800V,

სასურველი
GBPC1508M T0G

GBPC1508M T0G

ნაწილი საფონდო: 88

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 7.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 800V,

სასურველი
GBU1006HD2G

GBU1006HD2G

ნაწილი საფონდო: 129

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 10A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 800V,

სასურველი
GBLA02 D2G

GBLA02 D2G

ნაწილი საფონდო: 124

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 4A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 200V,

სასურველი
TS50P06GHD2G

TS50P06GHD2G

ნაწილი საფონდო: 152

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 50A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 25A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 800V,

სასურველი
TS10P05G C2G

TS10P05G C2G

ნაწილი საფონდო: 126

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 10A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 600V,

სასურველი
DBLS105G C1G

DBLS105G C1G

ნაწილი საფონდო: 73

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 600V,

სასურველი
DBL105GHC1G

DBL105GHC1G

ნაწილი საფონდო: 129

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 600V,

სასურველი
TS4K80 D3G

TS4K80 D3G

ნაწილი საფონდო: 68

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 4A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 800V,

სასურველი
GBL202 D2G

GBL202 D2G

ნაწილი საფონდო: 164

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 2A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 100V,

სასურველი
TSS4B01GHD2G

TSS4B01GHD2G

ნაწილი საფონდო: 83

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 980mV @ 4A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 50V,

სასურველი