დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 100

BAS40 RFG

ნაწილი საფონდო: 245

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 40mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 5ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

B0520LW RHG

ნაწილი საფონდო: 187

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 14V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 500mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 385mV @ 500mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT54C RFG

ნაწილი საფონდო: 240

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 5ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV19W RHG

ნაწილი საფონდო: 194

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 250V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 200mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV20WS RRG

ნაწილი საფონდო: 207

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 200mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT43W RHG

ნაწილი საფონდო: 216

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 50mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 5ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV20WS-G RRG

ნაწილი საფონდო: 252

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV21WS-G RRG

ნაწილი საფონდო: 191

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV19WS-G RRG

ნაწილი საფონდო: 191

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

BAS116 RFG

ნაწილი საფონდო: 211

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 75V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 150mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 3ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV20W-G RHG

ნაწილი საფონდო: 233

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 200mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT54 RFG

ნაწილი საფონდო: 182

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 5ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

BAS19W RVG

ნაწილი საფონდო: 206

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT43WS RRG

ნაწილი საფონდო: 222

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 200mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 5ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

BAS20W RVG

ნაწილი საფონდო: 257

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV21WS R9G

ნაწილი საფონდო: 198

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 250V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 200mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

B0520LWF RHG

ნაწილი საფონდო: 234

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 500mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 385mV @ 500mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

B0540WF RHG

ნაწილი საფონდო: 254

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 500mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 510mV @ 500mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT43X RSG

ნაწილი საფონდო: 217

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 200mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 5ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV19WS RRG

ნაწილი საფონდო: 191

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 200mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

BAS16 RFG

ნაწილი საფონდო: 180

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 75V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 150mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 4ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

BYG20D R3G

ნაწილი საფონდო: 7763

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

BYG21MHR3G

ნაწილი საფონდო: 7827

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 120ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

BAS85-L0 L1

ნაწილი საფონდო: 1429

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 5ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT42-L0 R0G

ნაწილი საფონდო: 1461

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 200mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 5ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV21WS RRG

ნაწილი საფონდო: 9913

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 250V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 200mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

BA159G A0G

ნაწილი საფონდო: 9917

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 250ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV21W RHG

ნაწილი საფონდო: 9901

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 250V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 200mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

B0530W RHG

ნაწილი საფონდო: 9995

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 500mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 430mV @ 500mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

BAS70 RFG

ნაწილი საფონდო: 9971

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 70V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 70mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 15mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 5ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

BYG21M R3G

ნაწილი საფონდო: 11937

დიოდის ტიპი: Avalanche, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 120ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

BAV21W-G RHG

ნაწილი საფონდო: 16265

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 200mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

BAT42W RHG

ნაწილი საფონდო: 16287

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 200mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 5ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

BYG20G R3G

ნაწილი საფონდო: 19460

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 1.5A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 75ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

BAS85-L0 L1G

ნაწილი საფონდო: 9487

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 5ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

BAS85-L0 L0G

ნაწილი საფონდო: 9563

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 5ns,

სასურველი