დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 100

1N5404GHR0G

ნაწილი საფონდო: 192

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 3A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5397G R0G

ნაწილი საფონდო: 161

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5395G R0G

ნაწილი საფონდო: 131

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5401GHR0G

ნაწილი საფონდო: 202

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 3A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5398G R0G

ნაწილი საფონდო: 156

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5395GHR0G

ნაწილი საფონდო: 137

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5399GHR0G

ნაწილი საფონდო: 168

დიოდის ტიპი: Standard, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 1.5A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

1N914B A0G

ნაწილი საფონდო: 197

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 720mV @ 5mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 4ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4448WS RRG

ნაწილი საფონდო: 260

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 4ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4148WS-G RVG

ნაწილი საფონდო: 190

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 75V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 150mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 4ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

1N914BW RHG

ნაწილი საფონდო: 255

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 75V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 4ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

1N914BWS RRG

ნაწილი საფონდო: 168

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 4ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

1SS400 RKG

ნაწილი საფონდო: 193

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 4ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

1SS400 RJG

ნაწილი საფონდო: 188

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 4ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4448W RHG

ნაწილი საფონდო: 235

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 75V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 4ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4448 A0G

ნაწილი საფონდო: 238

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 720mV @ 5mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 4ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5406G A0G

ნაწილი საფონდო: 2730

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 3A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5407G A0G

ნაწილი საფონდო: 2673

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 3A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

1SS355 RRG

ნაწილი საფონდო: 9926

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5408G A0G

ნაწილი საფონდო: 18907

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 3A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4005G A0G

ნაწილი საფონდო: 45250

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

1N5819 A0G

ნაწილი საფონდო: 45208

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4007G A0G

ნაწილი საფონდო: 45194

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4148W-G RHG

ნაწილი საფონდო: 58797

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.25V @ 150mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 4ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4148 A0G

ნაწილი საფონდო: 80158

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 4ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4148W RHG

ნაწილი საფონდო: 90868

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

1N4148WS RRG

ნაწილი საფონდო: 170963

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 75V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 4ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

1SS133M R0G

ნაწილი საფონდო: 158084

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 90V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 150mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 4ns,

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

2A06G A0G

ნაწილი საფონდო: 101

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 2A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

2A07G A0G

ნაწილი საფონდო: 77

დიოდის ტიპი: Standard, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 2A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

2A02G A0G

ნაწილი საფონდო: 146

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 2A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

2A07GHA0G

ნაწილი საფონდო: 140

დიოდის ტიპი: Standard, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 2A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

2A01GHA0G

ნაწილი საფონდო: 126

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 2A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

2A03G B0G

ნაწილი საფონდო: 191

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 2A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

2A03GHB0G

ნაწილი საფონდო: 177

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 2A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

Taiwan Semiconductor Corporation

2A02GHA0G

ნაწილი საფონდო: 144

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 2A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი