ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 38A, მიმდინარე - სატურაცია: 65A,
ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 23A, მიმდინარე - სატურაცია: 48A,
ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 29A, მიმდინარე - სატურაცია: 51A,
ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 6A, მიმდინარე - სატურაცია: 11.5A,
ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 7A, მიმდინარე - სატურაცია: 11A,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 3.6nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 6.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 440mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 4.3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 550mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 1.6nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.07A,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 6.2nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 220mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 7.5nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 170mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 170mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 7.5nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 380mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 980mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 2.4nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 810mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 710mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 11nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 280mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 1.1nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,
ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 5.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 10A,
ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 11A, მიმდინარე - სატურაცია: 22A,
ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 9A, მიმდინარე - სატურაცია: 18A,
ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 8A, მიმდინარე - სატურაცია: 14A,
ინდუქცია: 220nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 23A, მიმდინარე - სატურაცია: 40A,
ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 10A, მიმდინარე - სატურაცია: 20A,
ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 13A, მიმდინარე - სატურაცია: 24A,
ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 17.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 26A,
ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 32.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 60A,
ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 6A, მიმდინარე - სატურაცია: 13.5A,
ინდუქცია: 330nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 20A, მიმდინარე - სატურაცია: 30A,
ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 15.5A, მიმდინარე - სატურაცია: 25A,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 620mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 100nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,
ტიპი: Thin Film, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 140mA,
