ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

RG1005P-3742-B-T1

RG1005P-3742-B-T1

ნაწილი საფონდო: 4707

წინააღმდეგობა: 37.4 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005V-2740-C-T10

RG1005V-2740-C-T10

ნაწილი საფონდო: 6530

წინააღმდეგობა: 274 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1005V-7870-C-T10

RG1005V-7870-C-T10

ნაწილი საფონდო: 6543

წინააღმდეგობა: 787 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-78R7-B-T1

RG1005P-78R7-B-T1

ნაწილი საფონდო: 6257

წინააღმდეგობა: 78.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-5110-B-T1

RG1005N-5110-B-T1

ნაწილი საფონდო: 4660

წინააღმდეგობა: 511 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-1022-B-T1

RG1005P-1022-B-T1

ნაწილი საფონდო: 6406

წინააღმდეგობა: 10.2 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005V-1910-C-T10

RG1005V-1910-C-T10

ნაწილი საფონდო: 6489

წინააღმდეგობა: 191 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-8872-B-T1

RG1005P-8872-B-T1

ნაწილი საფონდო: 6400

წინააღმდეგობა: 88.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-2372-B-T1

RG1005P-2372-B-T1

ნაწილი საფონდო: 6352

წინააღმდეგობა: 23.7 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-243-C-T10

RG1005N-243-C-T10

ნაწილი საფონდო: 6558

წინააღმდეგობა: 24 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-563-C-T10

RG1005N-563-C-T10

ნაწილი საფონდო: 6615

წინააღმდეგობა: 56 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-71R5-B-T1

RG1005P-71R5-B-T1

ნაწილი საფონდო: 6283

წინააღმდეგობა: 71.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-2552-B-T1

RG1005P-2552-B-T1

ნაწილი საფონდო: 6389

წინააღმდეგობა: 25.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-9091-B-T1

RG1005N-9091-B-T1

ნაწილი საფონდო: 4702

წინააღმდეგობა: 9.09 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-1150-B-T1

RG1005N-1150-B-T1

ნაწილი საფონდო: 5985

წინააღმდეგობა: 115 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-2210-B-T1

RG1005N-2210-B-T1

ნაწილი საფონდო: 5988

წინააღმდეგობა: 221 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-1150-B-T1

RG1005P-1150-B-T1

ნაწილი საფონდო: 6280

წინააღმდეგობა: 115 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-5621-B-T1

RG1005P-5621-B-T1

ნაწილი საფონდო: 6400

წინააღმდეგობა: 5.62 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-133-C-T10

RG1005N-133-C-T10

ნაწილი საფონდო: 6580

წინააღმდეგობა: 13 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-9091-B-T1

RG1005P-9091-B-T1

ნაწილი საფონდო: 4728

წინააღმდეგობა: 9.09 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-8662-B-T1

RG1005N-8662-B-T1

ნაწილი საფონდო: 6153

წინააღმდეგობა: 86.6 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-4991-B-T1

RG1005N-4991-B-T1

ნაწილი საფონდო: 2809

წინააღმდეგობა: 4.99 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-1740-B-T1

RG1005P-1740-B-T1

ნაწილი საფონდო: 6301

წინააღმდეგობა: 174 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-73R2-B-T1

RG1005P-73R2-B-T1

ნაწილი საფონდო: 4693

წინააღმდეგობა: 73.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-1871-C-T10

RG1005N-1871-C-T10

ნაწილი საფონდო: 6669

წინააღმდეგობა: 1.87 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-1690-C-T10

RG1005N-1690-C-T10

ნაწილი საფონდო: 6620

წინააღმდეგობა: 169 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-431-C-T10

RG1005N-431-C-T10

ნაწილი საფონდო: 6560

წინააღმდეგობა: 430 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-90R9-B-T1

RG1005N-90R9-B-T1

ნაწილი საფონდო: 5994

წინააღმდეგობა: 90.9 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-2491-C-T10

RG1005N-2491-C-T10

ნაწილი საფონდო: 6687

წინააღმდეგობა: 2.49 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-9312-B-T1

RG1005P-9312-B-T1

ნაწილი საფონდო: 6446

წინააღმდეგობა: 93.1 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-113-B-T1

RG1005P-113-B-T1

ნაწილი საფონდო: 6215

წინააღმდეგობა: 11 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005V-181-C-T10

RG1005V-181-C-T10

ნაწილი საფონდო: 6400

წინააღმდეგობა: 180 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.25%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±5ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-3652-B-T1

RG1005N-3652-B-T1

ნაწილი საფონდო: 4650

წინააღმდეგობა: 36.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-752-B-T1

RG1005P-752-B-T1

ნაწილი საფონდო: 6244

წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი
RG1005N-3160-B-T1

RG1005N-3160-B-T1

ნაწილი საფონდო: 6030

წინააღმდეგობა: 316 Ohms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±10ppm/°C,

სასურველი
RG1005P-6651-B-T1

RG1005P-6651-B-T1

ნაწილი საფონდო: 6390

წინააღმდეგობა: 6.65 kOhms, ტოლერანტობა: ±0.1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.063W, 1/16W, კომპოზიცია: Thin Film, მახასიათებლები: Anti-Sulfur, Automotive AEC-Q200, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±25ppm/°C,

სასურველი